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公开(公告)号：CN117895202A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410124964.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种小型化电路结构及由其组成的L波段环行器/隔离器，属于微波元器件技术领域，所述电路包括中心结电路及分布在所述中心结电路周围的匹配电路：所述电路整体呈圆形，所述中心结电路呈120°对称，所述中心结电路的最外围为类扇形区域，所述类扇形区域的角度α为110°～130°；所述匹配电路由分布电容和电感组成，其中，所述电感为连接所述中心结电路的长条形部分，所述分布电容呈“冂”形并与电感相连；本发明通过小型化电路结构设计，从原理上缩短电磁波传输波长，从而有效减小器件电路中心结尺寸，实现小型化，本发明环行器尺寸可≤11mm×11mm×6.5mm，重量5g以内，能够很好满足当前整机系统对于环行器小型化的需求。
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公开(公告)号：CN114447552B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210123712.7
申请日：2022-02-10
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)(CN)
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、介质基板、铁底板，所述介质基板包括硅晶圆、硅晶圆上表面依次设有聚酰亚胺薄膜、上Cr/Au双层膜、上镀Au层，上Cr/Au双层膜上蚀刻有上表面电路，上镀Au层通过陶瓷基片与永磁体粘接；硅晶圆下表面设有下Cr/Au双层膜，其上蚀刻有下表面电路，硅晶圆中部还蚀刻有一铁氧体槽，下表面电路下方还设有一下镀Au层。本发明提出了一种新结构及加工方法，无需两片硅晶圆，无需进行晶圆级金属键合，能有效降此类环行器的工艺步骤、复杂度和成本，减小工艺冗余度，且能减小器件的尺寸，满足小型化的发展需求。
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公开(公告)号：CN106410353A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610865569.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P5/16
CPC classification number: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种多路不等分径向波导功率分配器，包括一空心的波导圆盘，所述波导圆盘一面中点设有输入端阶梯阻抗变换器，另一面包括数个与波导圆盘同心的环形区，每个环形区上均匀分布有数个输出端阶梯阻抗变换器，输入端阶梯阻抗变换器接产生电场和磁场的同轴线馈电输入，所述电场与波导圆盘的轴线平行，磁场方向绕圆周方向旋转。本发明利用径向波导主模场分布具有同轴对称性的特点，通过输出端口在以输入端口为圆心的不同半径r的圆上来实现不同比例的功率分配，且功分路数灵活，可实现多路、多种比例的分配，可广泛应用于对天线阵列有幅度调制需求的各种雷达系统、通信系统中。
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公开(公告)号：CN119550154A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411965484.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石铁氧体抛光方法，属于波导器件材料技术领域，所述方法为：使用高硬度聚氨酯抛光垫（A）配合白刚玉进行第一轮抛光；使用低硬度抛光垫（B）配合多晶钻石液进行第二轮抛光；本发明的抛光方法用于解决尖晶石铁氧体基片抛光后表面粗糙度大，表面质量差有橘皮，抛光后表面粗糙度不均匀等问题，极大提高基片的生产效率、产品一致性，有利于微波器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN116345099A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310040765.7
申请日：2023-01-13
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、上硅片、第一电路膜层、下硅片、第二电路膜层和底板封装层，第二电路膜层底部设有一贯穿至下硅片顶部的通孔，通孔内设有铁氧体，所述第一电路膜层上表面和下表面，下硅片的上表面分别设有一粘附过渡层，所述粘附过渡层采用Ti与W的合金材料，第一电路膜层、第二电路膜层电镀金属层进行加厚，所述金属层材质与第一电路膜层和第二电路膜层的材质相同。本发明能极大地提高了导电金属层的薄膜附着力，增强了器件的可靠性，且能有效的阻挡上下层材料在各种环境下的互相扩散，使器件保持在一个稳定的状态，提高微波器件单元的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119812710A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510024380.0
申请日：2025-01-07
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/383
Abstract: 本发明公开了一种耐高峰值功率的L/S波段铁氧体环行器，属于微波器件技术领域，包括上基片（4）、上介质（5）、中心导体（6）、下介质（7）和下基片（8），所述上介质（5）和下介质（7）作为迷宫介质，所述迷宫介质与中心导体（6）之间设置有间隙（10），所述间隙（10）的宽度≤1mm；所述中心导体的厚度为0.5mm～1mm，所述上基片（4）、下基片（8）厚度均为1.5mm～3mm；所述上基片（4）与上介质（5）嵌套面倾斜，下介质（7）与下基片（8）的嵌套面倾斜，倾斜角度为65°～75°；本发明能够提升L/S波段铁氧体环行器的耐高峰值功率能力至万瓦级；可减少硅橡胶填充量、提高填充质量；可广泛应用于星载、机载、地面、舰载等微波系统中。
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公开(公告)号：CN117613531A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311632210.8
申请日：2023-12-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/383
Abstract: 本发明公开了一种浮位式宽带集总参数环行器，属于微波元器件领域，包括从上至下依次设置的上金属外壳（11）、锶恒磁（12）、中心导体模组（13）、多层电路板（16）和下金属外壳（17），其中，所述中心导体模组（13）还匹配设置有匹配电容电感（14），所述多层电路板（16）上还嵌设有高导热陶瓷（15）；本发明传统设计可大幅度降低器件的尺寸和重量，可实现小尺寸下满足星载环行器功率要求，同时相比传统集总参数环行器带宽得到了大幅度拓展。
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公开(公告)号：CN114273992A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210008223.7
申请日：2022-01-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种图案化金属层表面抛光方法，属于微波元器件技术领域，其步骤包括：先将光敏型聚酰亚胺旋涂在硅片上图案化金属层表面，填充并覆盖整个Au图案化金属层；升温固化聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上表面涂覆一层光刻胶层；对光刻胶层进行刻蚀抛光，将光刻胶层全部刻蚀，得到表面平整的聚酰亚胺层；对聚酰亚胺层继续进行刻蚀，使漏出部分厚度较高的图案化金属层图案；对表面凸出的金属层图案进行磨抛，至金属层图案与聚酰亚胺上表面平齐；去掉金属层图案间隙填充的聚酰亚胺；本发明可以明显提高硅基MEMS环行器/隔离器键合之前的Au微波电路图案的平整度和粗糙度，增加键合工艺强度，提高器件的结构强度，提高每片晶圆的良品率。
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公开(公告)号：CN119865972A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510054461.5
申请日：2025-01-14
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种提高陶瓷基板表面薄膜电路图形精度及可靠性的方法，属于微波元器件领域，所述方法包括基片前处理、制备光刻胶图案、磁控溅射制备薄膜、电镀加厚金属膜层、去除光刻胶等步骤；本发明通过在携带光刻胶图案的陶瓷基板上进行磁控溅射和电镀，制备出目标薄膜电路图形，取代传统湿法腐蚀工艺方法，规避了侧边腐蚀现象，制备出的薄膜电路图形可靠性高、一致性高、线条精度高。
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公开(公告)号：CN114273992B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210008223.7
申请日：2022-01-06
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种图案化金属层表面抛光方法，属于微波元器件技术领域，其步骤包括：先将光敏型聚酰亚胺旋涂在硅片上图案化金属层表面，填充并覆盖整个Au图案化金属层；升温固化聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上表面涂覆一层光刻胶层；对光刻胶层进行刻蚀抛光，将光刻胶层全部刻蚀，得到表面平整的聚酰亚胺层；对聚酰亚胺层继续进行刻蚀，使漏出部分厚度较高的图案化金属层图案；对表面凸出的金属层图案进行磨抛，至金属层图案与聚酰亚胺上表面平齐；去掉金属层图案间隙填充的聚酰亚胺；本发明可以明显提高硅基MEMS环行器/隔离器键合之前的Au微波电路图案的平整度和粗糙度，增加键合工艺强度，提高器件的结构强度，提高每片晶圆的良品率。
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