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公开(公告)号：CN114273992A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210008223.7
申请日：2022-01-06
摘要： 本发明公开了一种图案化金属层表面抛光方法，属于微波元器件技术领域，其步骤包括：先将光敏型聚酰亚胺旋涂在硅片上图案化金属层表面，填充并覆盖整个Au图案化金属层；升温固化聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上表面涂覆一层光刻胶层；对光刻胶层进行刻蚀抛光，将光刻胶层全部刻蚀，得到表面平整的聚酰亚胺层；对聚酰亚胺层继续进行刻蚀，使漏出部分厚度较高的图案化金属层图案；对表面凸出的金属层图案进行磨抛，至金属层图案与聚酰亚胺上表面平齐；去掉金属层图案间隙填充的聚酰亚胺；本发明可以明显提高硅基MEMS环行器/隔离器键合之前的Au微波电路图案的平整度和粗糙度，增加键合工艺强度，提高器件的结构强度，提高每片晶圆的良品率。
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公开(公告)号：CN115494319A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211044220.5
申请日：2022-08-30
摘要： 本发明公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试系统，属于微波器件技术领域，由驱动器、铁氧体移相器和矢量网络分析仪组成，其中，所述驱动器分别与铁氧体移相器两端的激励线圈电连接，所述矢量网络分析仪分别与铁氧体移相器两端的波导口连接，本发明还公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试方法；采用本发明的测试系统和测试方法，可以对铁氧体移相器进行插入相位一致性筛选测试，从而能够解决多铁氧体移相器组件插入相位不匹配导致电性能超差、驱动控制复杂的问题。
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公开(公告)号：CN115498381B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN114273992B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210008223.7
申请日：2022-01-06
摘要： 本发明公开了一种图案化金属层表面抛光方法，属于微波元器件技术领域，其步骤包括：先将光敏型聚酰亚胺旋涂在硅片上图案化金属层表面，填充并覆盖整个Au图案化金属层；升温固化聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上表面涂覆一层光刻胶层；对光刻胶层进行刻蚀抛光，将光刻胶层全部刻蚀，得到表面平整的聚酰亚胺层；对聚酰亚胺层继续进行刻蚀，使漏出部分厚度较高的图案化金属层图案；对表面凸出的金属层图案进行磨抛，至金属层图案与聚酰亚胺上表面平齐；去掉金属层图案间隙填充的聚酰亚胺；本发明可以明显提高硅基MEMS环行器/隔离器键合之前的Au微波电路图案的平整度和粗糙度，增加键合工艺强度，提高器件的结构强度，提高每片晶圆的良品率。
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公开(公告)号：CN115498381A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN115498380B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN115498380A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B（3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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