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公开(公告)号：CN117335113B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311634176.8
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种外加磁场的宽带大功率负载，属于微波元器件领域，包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板，在由所述上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板围合而成的长方体内设置有波导腔体、永磁体、吸收体和吸收体载体，所述波导腔体采用标准矩形波导口设计，波导口的匹配直段长度为负载标准波导口的窄边长度的1/3～1.5倍；其斜劈直段长度为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度为5～15°；本发明可实现兆瓦级的高峰值功率设计；可实现小尺寸轻量化的波导负载设计；本发明可实现永磁磁化调节宽频带的吸收性能，将负载整个频段驻波设置在1.15以下。
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公开(公告)号：CN115498381B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN115498380B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN115498380A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210997243.1
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）单独激励，比如对所述移相段A（2）正向激励至饱和态，调节移相段B（3）反向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励至饱和态，调节移相段B（3）正向激励电流，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN115498381A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210998185.4
申请日：2022-08-19
摘要： 本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关串联激励方法，微波器件领域，激励方法为将所述移相段A（2）、移相段B（3）串联激励，激励电流大小相同、方向相反，对所述移相段A（2）正向激励，移相段B（3）反向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P2；对所述移相段A（2）反向激励，移相段B（3）正向激励，从而将差相移开关激励至端口P1→P3；本发明的差相移铁氧体锁式开关激励方法，可实现两个平行移相段输出相位的精确控制，该方法具有控制简单、激励稳定、速度快的优点。
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公开(公告)号：CN114709578A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
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公开(公告)号：CN115494319A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211044220.5
申请日：2022-08-30
摘要： 本发明公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试系统，属于微波器件技术领域，由驱动器、铁氧体移相器和矢量网络分析仪组成，其中，所述驱动器分别与铁氧体移相器两端的激励线圈电连接，所述矢量网络分析仪分别与铁氧体移相器两端的波导口连接，本发明还公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试方法；采用本发明的测试系统和测试方法，可以对铁氧体移相器进行插入相位一致性筛选测试，从而能够解决多铁氧体移相器组件插入相位不匹配导致电性能超差、驱动控制复杂的问题。
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公开(公告)号：CN117335113A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311634176.8
申请日：2023-12-01
摘要： 本发明公开了一种外加磁场的宽带大功率负载，属于微波元器件领域，包括为器件提供封闭磁路的上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板，在由所述上下磁屏蔽板和侧面磁屏蔽板围合而成的长方体内设置有波导腔体、永磁体、吸收体和吸收体载体，所述波导腔体采用标准矩形波导口设计，波导口的匹配直段长度为负载标准波导口的窄边长度的1/3～1.5倍；其斜劈直段长度为标准波导口长边的2～4倍；其匹配斜劈角度为5～15°；本发明可实现兆瓦级的高峰值功率设计；可实现小尺寸轻量化的波导负载设计；本发明可实现永磁磁化调节宽频带的吸收性能，将负载整个频段驻波设置在1.15以下。
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公开(公告)号：CN114709578B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210634202.6
申请日：2022-06-07
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器，属于微波元器件领域，采用高场设计，设计归一化内场为1.4～1.7，仿真设计内场为52000～63143A/m，包括腔体，所述腔体上设置有磁轭（1），在所述腔体内设置有冷却管路（2），在所述上腔体（3）上设置磁体组合（6），在所述腔体内设置由焊接板（8）、铁氧体（9）和陶瓷（10）组成的旋磁组合体（7），所述铁氧体（9）的磁矩为400 gauss～800 gauss；本发明采用高场设计，实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受，杜绝了器件在高功率下的非线性效应；并且降低器件在高场设计时的磁化难度，减小器件磁体磁化高度。
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