公开(公告)号：CN115588547A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211271597.4

申请日：2022-10-18

Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

Inventor： 黄河 ,  倪经 ,  周俊 ,  张羽 ,  林亚宁 ,  徐德超 ,  张强 ,  张敖 ,  谢海军 ,  张景铭 ,  王亚东 ,  李雄

IPC: H01C17/242

Abstract: 本发明公开了一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，属于电子元件技术领域，其步骤包括溅射、光刻、电镀、负载老化、负载匀胶、去胶、裂片和激光调阻；本发明在负载匀胶步骤时，涂覆一层厚度适中的光刻胶，对薄膜负载进行有效保护，并通过适当地调节激光参数，可极大程度地降低电阻负载膜层气化切除损伤，最终呈现效果为在20～60倍显微镜下观察薄膜负载表面无调阻痕迹、无灼烧痕迹，这样一方面解决了器件的隔离度和耐受功率降低，保证其性能和可靠性不受调阻影响，另一方面，也能够满足军工、航天产品高质量外观要求。