-
-
公开(公告)号:CN109632456B
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN201811527792.2
申请日:2018-12-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置,提高了大型效应物内部大块区域的场强,达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上,研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现,采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时,大型效应物内部的场出现了全局增强的现象,而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
-
公开(公告)号:CN109364377B
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN201811137271.6
申请日:2018-09-27
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明提出一种实现辐照腔内非金属效应物内部场强聚焦的装置,能够高效提升辐照腔内效应物场强的局部聚焦。该装置包括辐照腔和放置于辐照腔内的效应物,辐照腔具有上、下金属极板;效应物周围的辐照腔内局部区域填充有均匀介质,所述均匀介质的相对介电常数介于空气与效应物的相对介电常数之间;所述上、下金属极板之一具有弯折形成的尖端,该尖端靠近所述均匀介质并对应于效应物的聚焦位置。本发明的场强聚焦方式能够兼顾介质相对介电常数缓慢过渡、金属尖端处电流局部增强从而使得辐照腔内效应物内部的场实现了聚焦的效果。
-
公开(公告)号:CN118466543A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410654686.X
申请日:2024-05-24
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G05D1/46 , G05D109/20
Abstract: 本发明提供一种未知多障碍环境下智能体快速探索路径规划方法,用于解决现有未知环境下智能体路径规划方法侦察效率不高、容易陷入局部障碍物陷阱、需要大量的先验数据等技术问题。本发明一种未知多障碍环境下智能体快速探索路径规划方法,在移动位置的同时更新已探索的区域数据,并及时调整下一时刻的运动方向,解决智能体容易陷入局部障碍物陷阱的问题;无需大量的先验知识,可实现快速有效的边界区域运动,从而实现对未知环境的快速侦察探测。
-
公开(公告)号:CN113181556A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110482220.2
申请日:2021-04-30
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辐照腔,具体涉及一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔。克服采用现有辐照腔改进手段可行性较低的问题。本发明在辐照腔中放置了具有特定相对介电常数的绝缘介质基底,并在绝缘介质基底上刻上特定形状和尺寸的凹槽、然后再填上特定形状及尺寸的金属材质,实现了大型非金属效应物内部的场强增强,从而完成了辐照腔结构的改进。
-
公开(公告)号:CN109364377A
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201811137271.6
申请日:2018-09-27
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: A61N5/00
Abstract: 本发明提出一种实现辐照腔内非金属效应物内部场强聚焦的装置,能够高效提升辐照腔内效应物场强的局部聚焦。该装置包括辐照腔和放置于辐照腔内的效应物,辐照腔具有上、下金属极板;效应物周围的辐照腔内局部区域填充有均匀介质,所述均匀介质的相对介电常数介于空气与效应物的相对介电常数之间;所述上、下金属极板之一具有弯折形成的尖端,该尖端靠近所述均匀介质并对应于效应物的聚焦位置。本发明的场强聚焦方式能够兼顾介质相对介电常数缓慢过渡、金属尖端处电流局部增强从而使得辐照腔内效应物内部的场实现了聚焦的效果。
-
公开(公告)号:CN113593791A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202110808779.X
申请日:2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面具有二级微结构的绝缘子及其制备方法。该绝缘子包括绝缘子基体与绝缘子表面的二级微结构;二级微结构的第一级结构为槽结构,第二级结构为通过喷丸处理工艺存在于第一级结构内表面,以及绝缘子基体表面未刻槽区域的粗糙结构;槽结构的尺寸为数十微米至数毫米;粗糙结构的尺寸为数百纳米至数微米。通过这种设计,闪络发展中二次电子的发射会在不同尺度上分别受到槽结构与表面粗糙结构的双重抑制,达到对闪络发展的多级抑制,提升绝缘子闪络电压的目的。
-
公开(公告)号:CN109324245B
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN201811137256.1
申请日:2018-09-27
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种基于TEM喇叭的可移动式电磁脉冲辐射波模拟器,能够兼顾低频辐射能力强及尺寸小的要求。该TEM喇叭为指数型渐变喇叭,即上、下极板的高度按指数规律变化;在指数型TEM喇叭的口面末端加载与口面同宽的金属直板、加上倾斜金属板、并在倾斜金属板的始端经电阻电连接。这样,两次使用金属板导流,回避了常规TEM喇叭末端反射比较强的问题,实现了低频辐射能力的增强;倾斜板始端的电阻,不仅吸收倾斜板上的电流,而且避免了对模拟器前向辐射场的反射干扰;倾斜板从口面向馈电端附近倾斜,从而达到了减小模拟器尺寸的效果。
-
公开(公告)号:CN109701162A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201811527813.0
申请日:2018-12-13
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: A61N5/00
Abstract: 本发明提出一种辐照腔中效应物内部场强的局部聚焦装置及其构建方法,基于介质透镜的聚焦原理来研究辐照腔内效应物内部场强局部聚焦,采用在辐照腔上、下两个平行板的内侧分别放置一定尺寸及一定介质参数的两个介质透镜,靠近介质透镜的效应物内测点的场出现局部增强,并且场强聚焦点与透镜聚焦点并非同一坐标位置(两个位置相近)。本发明克服了实现频率为0~200MHz左右场强聚焦的单凸透镜尺寸过大的技术难题,提高了靠近介质透镜的效应物内部测点的场强,达到了效应物内部测点的局部聚焦效果。
-
公开(公告)号:CN109324245A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201811137256.1
申请日:2018-09-27
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种基于TEM喇叭的可移动式电磁脉冲辐射波模拟器,能够兼顾低频辐射能力强及尺寸小的要求。该TEM喇叭为指数型渐变喇叭,即上、下极板的高度按指数规律变化;在指数型TEM喇叭的口面末端加载与口面同宽的金属直板、加上倾斜金属板、并在倾斜金属板的始端经电阻电连接。这样,两次使用金属板导流,回避了常规TEM喇叭末端反射比较强的问题,实现了低频辐射能力的增强;倾斜板始端的电阻,不仅吸收倾斜板上的电流,而且避免了对模拟器前向辐射场的反射干扰;倾斜板从口面向馈电端附近倾斜,从而达到了减小模拟器尺寸的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-