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公开(公告)号：CN118969415A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043793.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01B17/00 , H01B17/42 , H01B19/04 , C08J7/12 , C08J7/14 , C08L63/00 , C08L77/00 , C08L79/08 , C08L67/00
Abstract: 本发明提供了一种表面改性的聚合物绝缘子及其制备方法，能解决现有表面化学改性方法无法在聚合物绝缘子表面制备出具有高真空沿面闪络电压的化学成分，耐压提升不明显且不稳定的问题。该绝缘子包括聚合物绝缘子本体和嫁接在聚合物绝缘子本体表面的高耐压特性分子基团，聚合物绝缘子本体的材质可发生水解或者胺解反应，高耐压特性分子基团在聚合物绝缘子本体表面形成柔性二维分子膜结构，用于降低聚合物绝缘子本体表面的二次电子发射系数与气体吸附量。该制备方法步骤为：制备聚合物绝缘子本体；将聚合物绝缘子本体放入水解或胺解体系中反应；清洗并干燥反应得到的聚合物绝缘子；与酰基化试剂发生反应；最后进行清洗和干燥处理。
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公开(公告)号：CN113097032A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN116396677B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310247309.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及共轭聚合物涂层及其制备方法、真空绝缘子及其制备方法；解决现有沿面耐压的提升方法适用范围有限且耐压提升效果不佳的问题；共轭聚合物涂层的制备方法包括步骤1：制备8≤PH≤9的缓冲溶液；步骤2制备盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液：将0.1～0.4％的质量比的盐酸多巴胺以及0.01～0.1％质量比的苯胺，溶解在步骤1的缓冲溶液中，获得盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液；步骤3盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液冷却凝固后，获得共轭聚合物涂层，本发明还提出基于上述方法的共轭聚合物涂层、真空绝缘子及其制备方法。
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公开(公告)号：CN117275849A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311496588.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种多尺度微孔表面结构的真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有绝缘子通过表面化学改性提升绝缘子真空沿面耐压性能常面临因表面损毁而失去提升真空沿面耐压性能效果，而采用机械打磨方式构筑绝缘子表面微结构存在表面形貌不均匀、真空沿面耐压性能提升效果稳定性差的技术问题。该真空绝缘子包括绝缘子本体和位于绝缘子本体表面的多尺度微孔结构，多尺度微孔结构具有不同孔径的微孔，用于在发生闪络时对不同能量的二次电子进行吸收、抑制。该多尺度微孔结构是通过对ABS真空绝缘子或者具有ABS涂层的真空绝缘子进行化学腐蚀得到；ABS中丁二烯的占比为10％～30％，多尺度微孔结构的微孔孔径分布为500nm～10μm。
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公开(公告)号：CN113593792B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110808784.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有凝胶层的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子由固态绝缘子基体和基体表面涂覆的液态凝胶层两部分组成，所制备的凝胶层能够稳定地存在于绝缘子表面，能在静止状态下保持稳定，在动力驱动下具有一定的流动性。凝胶层的制备能够大幅提升绝缘子真空沿面闪络电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594873B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110807164.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01T1/22
Abstract: 本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构，本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场，在高电压的作用下，每个金属微柱均能有效的发射电子；保证了电极发射电子位置的稳定性，有效降低发射电压的分散性。为实现该电极结构的制备，提出了一种结合覆膜‑激光阵列刻蚀‑空间受限电镀的制备方法。首先将金属表面清洗干净，在表面覆上绝缘膜，而后通过激光刻蚀的方式在覆膜的表面刻蚀出阵列圆柱孔，接着通过电镀的方式，将阵列圆柱孔内部电镀上金属，最后通过高温碳化的方式除去多余的绝缘膜，得到表面具有金属微柱阵列的电极。
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公开(公告)号：CN118969421A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043794.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01B19/04 , H01B17/00 , C09D183/04
Abstract: 本发明提供了涂层改性的氧化铝绝缘子的制备方法及绝缘子，能解决现有氧化铝绝缘子表面制备涂层的方法存在耐压提升幅度低，涂层易脱落，涂层多为聚合物涂层，无法满足氧化铝绝缘子高温烘烤和除气密封需求的问题。该方法步骤为：分别称取四硅酸乙酯、二甲基二乙氧基硅烷、X三乙氧基硅烷，混合得到有机硅烷反应试剂；将异丙醇加入反应容器中，搅拌条件下，依次将有机硅烷反应试剂、去离子水加入反应容器中，得到反应液；调节反应液的pH，反应至反应液处于澄清透明状态，冷却至室温，得到聚有机硅溶胶；将聚有机硅溶胶涂覆在预先准备的氧化铝绝缘子本体表面，置于空气中晾干后，再发生脱水缩合反应，得到涂层改性的氧化铝绝缘子。
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公开(公告)号：CN118930939A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043792.0
申请日：2024-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种表面改性的交联聚苯乙烯绝缘子及其制备方法，能解决现有表面改性方法无法在交联聚苯乙烯绝缘子表面制备出具有高真空沿面闪络电压的化学成分，耐压提升水平低且不稳定的问题。该绝缘子包括交联聚苯乙烯绝缘子本体和嫁接在交联聚苯乙烯绝缘子本体表面的高耐压特性分子基团；高耐压特性分子基团在交联聚苯乙烯绝缘子本体表面形成柔性二维分子膜结构，用于降低交联聚苯乙烯绝缘子本体表面的二次电子发射系数与气体吸附量。该绝缘子的制备方法步骤为：制备交联聚苯乙烯绝缘子本体，然后依次进行硝化反应、还原胺化反应、酰基化反应。或者为：制备交联聚苯乙烯绝缘子本体，然后直接进行酰基化反应。
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公开(公告)号：CN118016337A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410093442.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种核技术应用的放射源容器，具体涉及一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。解决了现有放射性气体源盒具有较强氙记忆，导致难以获取样品准确浓度的技术问题，而提供一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。本发明一种具有较小氙记忆效应的源盒，包括两个金属基体和位于两个金属基体之间的环状连接壁；两个金属基体和环状连接壁形成封闭的盒状结构，金属基体的内表面覆盖有陶瓷涂层；陶瓷涂层的厚度为0.02～5μm，金属基体的壁厚为0.3～2.0mm。本发明陶瓷涂层具有氙“记忆效应”小、弹性模量高、γ射线穿透性好、结构致密、抗氧化性好的特性，解决了氙浓度较低的样品以及不确定度要求较高样品难以准确测量的难题。
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公开(公告)号：CN117362911A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311496591.1
申请日：2023-11-10
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及真空高压电绝缘技术领域，为解决现有陶瓷绝缘材料硬度高、脆性高、加工难度大、沿面耐压水平低，以及聚合物绝缘材料释气率、透气率高，难以满足多数真空绝缘系统的沿面耐压需求的问题，提出一种陶瓷‑聚合物双连续相真空绝缘材料，绝缘材料的体相包括陶瓷相和聚合物相，陶瓷相为通过高温烧结制备的相互连接的三维立体网状陶瓷骨架；聚合物相为通过原位聚合制备的相互连接的三维立体网状结构；陶瓷相和聚合物相在三维立体空间中互补形成致密的体相内部结构；其沿面耐压水平略高于聚合物、远高于陶瓷；体相外部表层为聚合物包覆层。同时，本发明还提出了一种陶瓷‑聚合物双连续相绝缘材料的制备方法。
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