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公开(公告)号：CN118969415A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043793.5
申请日：2024-07-31
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01B17/00 , H01B17/42 , H01B19/04 , C08J7/12 , C08J7/14 , C08L63/00 , C08L77/00 , C08L79/08 , C08L67/00
摘要： 本发明提供了一种表面改性的聚合物绝缘子及其制备方法，能解决现有表面化学改性方法无法在聚合物绝缘子表面制备出具有高真空沿面闪络电压的化学成分，耐压提升不明显且不稳定的问题。该绝缘子包括聚合物绝缘子本体和嫁接在聚合物绝缘子本体表面的高耐压特性分子基团，聚合物绝缘子本体的材质可发生水解或者胺解反应，高耐压特性分子基团在聚合物绝缘子本体表面形成柔性二维分子膜结构，用于降低聚合物绝缘子本体表面的二次电子发射系数与气体吸附量。该制备方法步骤为：制备聚合物绝缘子本体；将聚合物绝缘子本体放入水解或胺解体系中反应；清洗并干燥反应得到的聚合物绝缘子；与酰基化试剂发生反应；最后进行清洗和干燥处理。
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公开(公告)号：CN117292905A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311496589.4
申请日：2023-11-10
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供了一种高梯度真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有高梯度真空绝缘子因气密性差导致其耐压稳定性差和高压装置的运行稳定性差，及难以满足高压装置对真空绝缘强度要求的技术问题。该绝缘子包括：具有真空腔的柱状绝缘子本体和多个均压环；绝缘子本体的外壁沿周向开设有多个相互平行且同心的环槽，相邻环槽的轴向间距相等；环槽的形状、尺寸分别与均压环的形状、尺寸相适配，多个均压环分别镶嵌在多个环槽内，均压环的外表面与绝缘子本体的外表面平齐。制备方法步骤为：加工绝缘子本体；在绝缘子本体外壁加工环槽；在模具中浇注金属液制备均压环；加工形成最终高梯度真空绝缘子。
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公开(公告)号：CN116396677B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310247309.X
申请日：2023-03-14
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： C09D179/02 , C08G73/02 , C08G73/06 , B08B3/08 , B08B3/02 , H01B17/42 , H01B19/02 , H01B19/04
摘要： 本发明涉及共轭聚合物涂层及其制备方法、真空绝缘子及其制备方法；解决现有沿面耐压的提升方法适用范围有限且耐压提升效果不佳的问题；共轭聚合物涂层的制备方法包括步骤1：制备8≤PH≤9的缓冲溶液；步骤2制备盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液：将0.1～0.4％的质量比的盐酸多巴胺以及0.01～0.1％质量比的苯胺，溶解在步骤1的缓冲溶液中，获得盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液；步骤3盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液冷却凝固后，获得共轭聚合物涂层，本发明还提出基于上述方法的共轭聚合物涂层、真空绝缘子及其制备方法。
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公开(公告)号：CN117275849A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311496588.X
申请日：2023-11-10
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供了一种多尺度微孔表面结构的真空绝缘子及其制备方法，用以解决现有绝缘子通过表面化学改性提升绝缘子真空沿面耐压性能常面临因表面损毁而失去提升真空沿面耐压性能效果，而采用机械打磨方式构筑绝缘子表面微结构存在表面形貌不均匀、真空沿面耐压性能提升效果稳定性差的技术问题。该真空绝缘子包括绝缘子本体和位于绝缘子本体表面的多尺度微孔结构，多尺度微孔结构具有不同孔径的微孔，用于在发生闪络时对不同能量的二次电子进行吸收、抑制。该多尺度微孔结构是通过对ABS真空绝缘子或者具有ABS涂层的真空绝缘子进行化学腐蚀得到；ABS中丁二烯的占比为10％～30％，多尺度微孔结构的微孔孔径分布为500nm～10μm。
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公开(公告)号：CN117790090A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311496586.0
申请日：2023-11-10
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种绝缘器件及其制备方法，为解决现有高梯度绝缘子制备方法易导致绝缘子耐压稳定性不足、存在安全隐患的问题，而提供一种金属层内嵌型高梯度绝缘子及其制备方法。本发明提供的金属层内嵌型高梯度绝缘子包括自下而上同轴交替排布的X个绝缘片和(X‑1)个金属片，X≥3；所述金属片的周边外缘尺寸小于所述绝缘片的周边外缘尺寸；所述绝缘片的厚度δp与所述金属片的厚度δm之比δr满足：1
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公开(公告)号：CN117334419A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311496584.1
申请日：2023-11-10
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种绝缘器件及其制备方法，为解决现有高梯度绝缘子制备方法易导致绝缘子耐压稳定性不足、存在安全隐患的问题，而提供一种金属层包埋型高梯度绝缘子及其制备方法。本发明提供的金属层包埋型高梯度绝缘子包括自下而上同轴交替排布的X个绝缘片和(X‑1)个金属片，X≥3；所述金属片的周边外缘尺寸小于所述绝缘片的周边外缘尺寸；所述X个绝缘片中自下而上的(X‑1)个绝缘片的上底面设有与金属片尺寸相匹配的凹槽，所述(X‑1)个金属片对应嵌入在各个凹槽内；绝缘片的厚度δp与金属片的厚度δm之比δr满足：1
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公开(公告)号：CN116396677A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310247309.X
申请日：2023-03-14
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： C09D179/02 , C08G73/02 , C08G73/06 , B08B3/08 , B08B3/02 , H01B17/42 , H01B19/02 , H01B19/04
摘要： 本发明涉及共轭聚合物涂层及其制备方法、真空绝缘子及其制备方法；解决现有沿面耐压的提升方法适用范围有限且耐压提升效果不佳的问题；共轭聚合物涂层的制备方法包括步骤1：制备8≤PH≤9的缓冲溶液；步骤2制备盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液：将0.1～0.4％的质量比的盐酸多巴胺以及0.01～0.1％质量比的苯胺，溶解在步骤1的缓冲溶液中，获得盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液；步骤3盐酸多巴胺‑苯胺的混合反应溶液冷却凝固后，获得共轭聚合物涂层，本发明还提出基于上述方法的共轭聚合物涂层、真空绝缘子及其制备方法。
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公开(公告)号：CN118969421A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043794.X
申请日：2024-07-31
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01B19/04 , H01B17/00 , C09D183/04
摘要： 本发明提供了涂层改性的氧化铝绝缘子的制备方法及绝缘子，能解决现有氧化铝绝缘子表面制备涂层的方法存在耐压提升幅度低，涂层易脱落，涂层多为聚合物涂层，无法满足氧化铝绝缘子高温烘烤和除气密封需求的问题。该方法步骤为：分别称取四硅酸乙酯、二甲基二乙氧基硅烷、X三乙氧基硅烷，混合得到有机硅烷反应试剂；将异丙醇加入反应容器中，搅拌条件下，依次将有机硅烷反应试剂、去离子水加入反应容器中，得到反应液；调节反应液的pH，反应至反应液处于澄清透明状态，冷却至室温，得到聚有机硅溶胶；将聚有机硅溶胶涂覆在预先准备的氧化铝绝缘子本体表面，置于空气中晾干后，再发生脱水缩合反应，得到涂层改性的氧化铝绝缘子。
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公开(公告)号：CN118930939A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043792.0
申请日：2024-07-31
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供了一种表面改性的交联聚苯乙烯绝缘子及其制备方法，能解决现有表面改性方法无法在交联聚苯乙烯绝缘子表面制备出具有高真空沿面闪络电压的化学成分，耐压提升水平低且不稳定的问题。该绝缘子包括交联聚苯乙烯绝缘子本体和嫁接在交联聚苯乙烯绝缘子本体表面的高耐压特性分子基团；高耐压特性分子基团在交联聚苯乙烯绝缘子本体表面形成柔性二维分子膜结构，用于降低交联聚苯乙烯绝缘子本体表面的二次电子发射系数与气体吸附量。该绝缘子的制备方法步骤为：制备交联聚苯乙烯绝缘子本体，然后依次进行硝化反应、还原胺化反应、酰基化反应。或者为：制备交联聚苯乙烯绝缘子本体，然后直接进行酰基化反应。
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公开(公告)号：CN118016337A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410093442.9
申请日：2024-01-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种核技术应用的放射源容器，具体涉及一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。解决了现有放射性气体源盒具有较强氙记忆，导致难以获取样品准确浓度的技术问题，而提供一种具有较小氙记忆效应的源盒及其制备方法。本发明一种具有较小氙记忆效应的源盒，包括两个金属基体和位于两个金属基体之间的环状连接壁；两个金属基体和环状连接壁形成封闭的盒状结构，金属基体的内表面覆盖有陶瓷涂层；陶瓷涂层的厚度为0.02～5μm，金属基体的壁厚为0.3～2.0mm。本发明陶瓷涂层具有氙“记忆效应”小、弹性模量高、γ射线穿透性好、结构致密、抗氧化性好的特性，解决了氙浓度较低的样品以及不确定度要求较高样品难以准确测量的难题。
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