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公开(公告)号:CN112201725A
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:CN202011005558.0
申请日:2020-09-22
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法,在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体;升华源准备步骤,对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源;衬底处理步骤,对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥;窗口层形成步骤,在FTO衬底上形成硫化镉窗口层;吸收层形成步骤,在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层;退火步骤,吸收层生长结束后,对样品进行退火;背电极制备步骤,在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点,可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题,有助于太阳能电池的商业化推广和应用。
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公开(公告)号:CN113644149A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202110852294.0
申请日:2021-07-27
Applicant: 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法,基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器,与退火之前相比,CdZnTe外延膜的电阻率明显提高,探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏,能量分辨率提高,并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
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公开(公告)号:CN113644149B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202110852294.0
申请日:2021-07-27
Applicant: 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC: H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法,基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器,与退火之前相比,CdZnTe外延膜的电阻率明显提高,探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏,能量分辨率提高,并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
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公开(公告)号:CN119899636A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202510054814.1
申请日:2025-01-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钛氧化物/碳材料复合吸收剂及其制备方法和应用,涉及吸波材料技术领域。该吸收剂包括以TixO2x‑1作为基体,及在所述基体上复合的碳材料;所述基体的含量为50~99wt.,所述碳材料的含量为50~1wt.%;所述基体和所述碳材料的百分比之和为百分之百。本发明采用了TixO2x‑1具有较强的界面极化和缺陷极化能力,是微波吸收材料的良好候选者。通过调控TixO2x‑1和碳材料的含量比有效地改善核壳结构钛氧化物/碳材料复合吸收剂的阻抗匹配和电磁衰减特性,可作为电磁波吸收材料广泛应用于相应的电磁防护以及微波隐身领域。
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公开(公告)号:CN119125425A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411151187.5
申请日:2024-08-21
Applicant: 西北工业大学 , 湖北航天化学技术研究所
IPC: G01N31/12
Abstract: 本发明公开了一种激波管实验装置,其能实现高压点火实验系统、单脉冲裂解实验系统的切换;当激波管实验装置用作高压点火实验系统时,包括:激波管管体,其包括高压段、中间段、低压段,还包括二通段,其中二通段与中间段和低压段分别通过法兰连接;预配气系统,其包括氧化剂气瓶、稀释气瓶和混气瓶;真空与供压系统,其包括真空泵、抽气泵、驱动气瓶,真空泵与抽气泵用于将激波管管体内抽为真空环境;驱动气瓶通过管道连接高压段和中间段;当激波管实验装置用作单脉冲裂解实验系统时,在上述结构的基础上,用三通段和泄气罐替换二通段,其中三通段与中间段、低压段、泄气罐分别通过法兰连接。
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公开(公告)号:CN118728595A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202411102102.4
申请日:2024-08-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种普适于液体推进剂点火的定容弹实验装置,能实现自燃型推进剂对喷燃烧实验的定容实验系统、非自燃型推进剂燃烧实验的定容弹实验系统的切换;装置包括:燃烧室、点火系统、触发系统、混气罐、排气系统、信息采集系统;当所述装置用作自燃型推进剂对喷燃烧实验的定容实验系统时,在则无需点火系统,并添加进样系统;通过可拆卸机构将点火系统的点火电极替换为对喷管道,同时将混气罐替换为环境气体罐,以实现两套系统的快速切换。本发明有效解决了现有实验系统存在的难以切换、成本高等问题。
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公开(公告)号:CN112289711B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202011145437.6
申请日:2020-10-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制造方法,该衬底加热台的结构包括加热部分、水冷部分、热电偶和掩膜板。加热部分位于加热台下部四周,可插红外灯管,实现对衬底的直接加热;水冷部分位于加热台内部腔体,腔体内部设有三个水路挡板用于实现内部水流的“S”型走位,提高水流的速度,提高对衬底的散热效率;热电偶位于加热台的中部,其底部与加热台底部平齐,可实现对衬底的精确测温;掩膜板位于加热台的下部,与加热台是两个独立的部件,可通过加热台下部的螺纹洞,用螺丝将掩膜板栓在加热台上,使衬底背部与加热台底部平齐。本发明设计的这款低温型衬底加热台可实现衬底温度在25℃到300℃的范围内温度可调。
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公开(公告)号:CN116726168A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310562898.0
申请日:2023-05-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铱负载长余辉纳米复合物及其制备方法和应用,纳米复合物为金属铱负载于长余辉纳米材料表面形成的核壳结构,所述核壳结构由位于内部的核体和包围核体的壳体组成,所述核体为长余辉纳米材料,所述壳体为来源于牛奶、且为从牛奶中提取的外泌体,所述金属铱以单原子或原子簇形式负载于长余辉纳米材料表面;本发明的纳米复合物能够实现肿瘤余辉、计算机断层扫描和光热多模态成像,同时能够协同光热和催化治疗方法有效抑制肿瘤生长,实现高效肿瘤治疗。
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公开(公告)号:CN115093252A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210752012.4
申请日:2022-06-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/90
Abstract: 本发明涉及一种高温复合材料抗氧化、低发射率涂层及制备方法和应用,该涂层依据热膨胀系数渐变匹配原则设计,从内至外依次由过渡层、氧阻隔层、低发射率功能层以及表层保护膜组成。所述过渡层为与基底热膨胀系数接近SiC陶瓷,所述氧阻隔层为具有抗氧化性能莫来石‑玻璃粉复合涂层,所述低发射率功能涂层为具有低发射率的耐高温金属Ir薄膜,所述表层保护膜为耐高温高红外透过率的SiO2薄膜。本发明制备的高温复合材料抗氧化、低发射率涂层大幅度提升了Ir薄膜在高温下的使用性能和使用寿命,红外隐身性能优异、抗氧化性强,可在1200℃高温下服役。
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公开(公告)号:CN110473771B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201910696261.4
申请日:2019-07-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法,用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室,通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离,关闭炉门,先开启机械泵抽真空,使腔室内真空度小于10pa,开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统,缓慢升温到设定温度,低温形核,采取重复生长方式,防止TFT衬底损坏,生长结束后,缓慢降温到一定温度然后自然冷却,由于采用了低温形核和重复生长方式,解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
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