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公开(公告)号：CN111743620A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010605939.6
申请日：2020-06-29
Applicant: 西北工业大学 , 西北工业大学太仓长三角研究院
IPC: A61B18/14
Abstract: 本发明公开了一种辅助内窥镜治疗消化道肿瘤的磁锚定消融电极系统，包括磁性内窥镜前端，消融电极和体外锚定装置。所述磁性内窥镜前端，内窥镜前端器件由磁性材料制作而成，其侧面有两组关于磁性内窥镜前端成对称分布的消融电极连接孔道，每组有两个成对称分布的连接孔；所述消融电极上有两个圆柱状的卡头，用于配合装载至内窥镜前端消融电极连接孔道，末端通过导线与外界脉冲源相连对消化道肿瘤进行消融治疗。所述体外锚定装置包括长方体锚定磁体和锚定磁体外壳，用于在体外牵拉内窥镜前端在消化道内移动。本发明通过将内窥镜前端改造成带有磁性且在上面装载消融电极后，配合现有的内窥镜完套操作系统来对消化道肿瘤进行治疗，磁锚定技术可以实现消融电极无创定位与固定，在保证消化道管壁无机械损伤的条件下完成消融，降低穿孔风险。
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公开(公告)号：CN119250161A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411778280.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 为解决当前追逃博弈智能决策中使用深度强化学习算法得到的神经网络可解释性和可调试性差，难以满足实际部署要求的问题，本发明提出一种基于模糊推理树的深度强化学习策略迁移方法。本发明以经过充分训练的待迁移网络为指导，通过智能优化算法对模糊推理树进行训练使其与训练好的待迁移网络在相同的输入下具有相同的输出，即使得模糊推理树学习到了状态到动作的映射关系，具有与深度强化学习的待迁移网络相同的决策能力，从而达到将深度强化学习算法中蕴含在神经网络内的规则抽取并迁移到模糊推理树的目的。本发明在不改变决策效能的前提下，提升了决策指令的生成速度，且解决了追逃博弈信息不完全可知、决策方法的可调试性和可解释性差的问题。
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公开(公告)号：CN113461682A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110743162.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种热致延迟荧光材料及其制备方法和应用，该热致延迟荧光材料以吡啶并[2,5‑g]异喹啉‑5,10‑二酮为客体单元，通过将不同的给电子体单元引入到该客体单元上并对给体单元在客体单元位置上进行同分异构调控，获得目标产物热致延迟荧光材料。本发明的热致延迟荧光材料具有小的单线态与三线态能级差ΔEst和高的内量子效率，可用作电致发光器件中的发光层材料，可以有效提高OLED器件的外量子效率，基于该热致延迟荧光材料的电致发光器件具有较高的电致发光性能。
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公开(公告)号：CN120013834A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510079923.9
申请日：2025-01-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06T5/90 , G06T5/60 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于色彩空间变换的低照度图像增强方法。该方法包括：获取初始低照度图像，对初始低照度图像进行预处理，得到初始低照度图像的强度图；根据初始低照度图像的强度图，生成饱和度图；基于饱和度图、初始低照度图像的强度图和初始低照度图像，生成色调图；对色调图进行处理，得到色调图的水平轴集合和垂直轴集合；设置初始低照度图像的强度图的自适应强度坍缩函数。本发明解决了现有技术将低照度图像转换为正常照度图像转换准确度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116045734A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211742074.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种机载末端防御决策装置，包括：综合处理模块、显示模块。所述综合处理模块通过加载机载末端防御决策模型，可根据当前空战态势，生成防御策略，并通过显示模块，辅助飞行员进行决策，若导弹接近到一定范围内，则直接通过向飞控发送指令，控制战斗机执行防御策略。机载末端防御决策装置具备在任意空战态势下，生成防御策略的能力。当敌方导弹距我方战斗机尚有一定距离时，机载末端防御决策装置通过可视化界面以及音频提示，辅助飞行员进行防御决策；当敌方导弹迫近我方战斗机，飞行员受限于生理极限无法及时做出防御决策时，机载末端防御决策装置甚至可以直接替代飞行员进行决策。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111416980B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010437720.X
申请日：2020-05-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压缩编码孔径的高分辨率相机成像方法，用于解决现有高分辨率成像方法成像分辨率较低的技术问题。技术方案是通过构建频域互补编码孔径光阑评价指标，利用模板序列进行选择、交叉、变异过程，寻找使评价指标最大的一组频域互补编码孔径模板集合，这些模板在频域之间相互互补，从而保证通过设计的不同编码孔径光阑拍摄的图像以保留场景中不同成分的高频细节信息，从而为细节信息恢复提供支撑。本发明通过优化设计一组频域互补的编码孔径组合替代传统光学系统孔径光阑处的单一高斯编码形式，不仅拓宽了相机孔径频谱范围，而且去除了编码孔径在频率响应的冗余信息，实现了在感知阶段的最大信息量图像获取，提高了图像成像分辨率。
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公开(公告)号：CN111416980A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010437720.X
申请日：2020-05-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压缩编码孔径的高分辨率相机成像方法，用于解决现有高分辨率成像方法成像分辨率较低的技术问题。技术方案是通过构建频域互补编码孔径光阑评价指标，利用模板序列进行选择、交叉、变异过程，寻找使评价指标最大的一组频域互补编码孔径模板集合，这些模板在频域之间相互互补，从而保证通过设计的不同编码孔径光阑拍摄的图像以保留场景中不同成分的高频细节信息，从而为细节信息恢复提供支撑。本发明通过优化设计一组频域互补的编码孔径组合替代传统光学系统孔径光阑处的单一高斯编码形式，不仅拓宽了相机孔径频谱范围，而且去除了编码孔径在频率响应的冗余信息，实现了在感知阶段的最大信息量图像获取，提高了图像成像分辨率。
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公开(公告)号：CN110913150A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911127173.9
申请日：2019-11-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: H04N5/235
Abstract: 本发明公开了一种基于空间平台的自适应曝光成像方法，用于解决现有自动曝光成像方法时效性低的技术问题。技术方案是依据空间目标观测星等，确定测光模式下的初始曝光时间。然后基于空间目标不同区域材质及对应反射率不同的特点，依靠测光图像对目标进行局部材质分类，根据不同局部材质反射率对目标不同区域自适应设置不同曝光时间，从而在不同曝光时间下均能有效利用传感器的动态范围，提升目标成像的灰度层次，丰富图像细节内容，且该方法时效性高，满足空间快速成像的要求。
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公开(公告)号：CN113902974B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111134920.9
申请日：2021-09-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06V10/25 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于卷积神经网络的空战威胁目标识别方法，首先在ResNet模型的主干网络中加入注意力机制，增强感兴趣区域的特征表现能力，降低无用信息对于识别结果的影响，提高检测模型的区域聚焦能力；然后在ResNet模型的最后将单一全连接层的结构改成双全连接层的结构，分别对空战威胁目标的威胁类型与制导类型进行特征映射，以便提高模型的识别能力，加快模型的收敛。通过上述两种方法，得到改进后的ResNet模型，使用改进后的ResNet模型能够对空战威胁目标类型进行识别，实现空战威胁目标识别任务。本发明充分利用通道注意力和空间注意力机制来指导重要特征信息的传递，有效的提高识别模型对于全局信息的感知能力和空战威胁目标类型的识别精度。
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公开(公告)号：CN115028626B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202210663397.7
申请日：2022-06-13
Applicant: 西北工业大学
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60 , H10K101/20
Abstract: 本发明公开了一种热致延迟荧光材料及其制备方法和应用，该热致延迟荧光材料以吡啶并[2,5‑g]异喹啉‑5,10‑二酮为客体单元，通过将不同的给电子体单元引入到该客体单元上并对给体单元在客体单元位置上进行同分异构调控，获得目标产物热致延迟荧光材料。本发明的热致延迟荧光材料具有小的单线态与三线态能级差ΔEST和高的内量子效率，可用作电致发光器件中的发光层材料，可以有效提高OLED器件的外量子效率，基于该热致延迟荧光材料的电致发光器件具有较高的电致发光性能。
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