公开(公告)号：CN108933169A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810528736.4

申请日：2018-05-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司 ,  英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  I.迪恩施托费尔 ,  E.格里布尔 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  C.莱恩德茨 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利普

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。

公开(公告)号：CN108933169B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810528736.4

申请日：2018-05-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司 ,  英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  I.迪恩施托费尔 ,  E.格里布尔 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  C.莱恩德茨 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利普

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。

公开(公告)号：CN117316997A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311286810.3

申请日：2018-05-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司 ,  英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  I.迪恩施托费尔 ,  E.格里布尔 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  C.莱恩德茨 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利普

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。

公开(公告)号：CN105448949B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201510596556.6

申请日：2015-09-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利波

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及具有可变电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包括半导体主体（100），该半导体主体（100）包括与发射极区域（140）形成pn结（pn1）的漂移区（121）。第一负载电极（310）在半导体主体（100）的前侧。第二负载电极（320）在与前侧相对的半导体主体（100）的背侧。一个或多个可变电阻元件（190）电连接在漂移区（121）与第一和第二负载电极（310、320）中的一个之间的受控路径中。可变电阻元件（190）响应于半导体器件（500）的操作状态的改变来激活和停用半导体器件（500）的电子元件。

公开(公告)号：CN103972282B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410043930.5

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布斯克 ,  C.耶格 ,  J.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个第一导电类型的沟道的发射极层。沟道延伸通过在基极区域和集电极之间的发射极层并且在正向阻断状态中减小泄漏电流。

公开(公告)号：CN107819033B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201710826878.4

申请日：2017-09-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  A.菲利波 ,  M.C.赛费尔特 ,  A.韦莱

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及具有dV/dt可控性的功率半导体装置。一种功率半导体装置包括：半导体主体，耦合到功率半导体装置的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区域，漂移区域被配置为在所述端子之间传导负载电流，漂移区域包括第一导电型的掺杂物；源极区域，被布置为与第一负载端子电接触并且包括第一导电型的掺杂物；沟道区域，包括第二导电型的掺杂物并且隔离源极区域与漂移区域；至少一个功率单位基元，包括至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，所述沟槽被布置为横向彼此相邻，其中所述沟槽中的每个沟槽沿着延伸方向延伸到半导体主体中并且包括绝缘体，绝缘体将相应的沟槽电极与半导体主体绝缘。

公开(公告)号：CN105281729B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201510331730.4

申请日：2015-06-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.耶格 ,  J.G.拉文

IPC分类号： H03K17/567

摘要： 本发明涉及用于控制半导体开关的方法和电路。描述一种用于控制半导体开关的控制电路。根据本发明的一个实例，控制电路包括与半导体开关连接的过载探测电路，该过载探测电路被构造用于探测半导体开关的过载状态。控制电路此外包括与半导体开关的控制端子连接的驱动电路，该驱动电路被构造用于在探测过载状态时产生具有这样的电平的驱动信号，使得半导体开关被关断或防止接通。驱动电路此外被构造用于按照控制信号产生用于控制半导体开关的驱动信号，其中为了接通晶体管在第一时间点产生具有第一电平的驱动信号，并且如果直至预先给定的时间段结束之后没有探测到过载状态，那么将电平提高到第二电平。

公开(公告)号：CN105529359B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201510682136.X

申请日：2015-10-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  C.耶格 ,  F.J.尼德诺斯泰德 ,  H-J.舒尔策 ,  A.R.施特格纳 ,  A.韦莱

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及具有包含深能级掺杂剂的辅助结构的半导体器件。一种半导体器件（500）包含在晶体管单元区域（610）中沿着半导体主体（100）的前侧处的第一表面（101）形成的晶体管单元（TC）。漂移区带结构（120）与晶体管单元（TC）的主体区带（115）形成第一pn结（pn1）。在漂移区带结构（120）与半导体主体（100）的后侧处的第二表面（102）之间的辅助结构（132）包含第一部分（132a），该第一部分（132a）含有需要至少150 meV来离子化的深能级掺杂剂。集电极结构（138）直接邻接辅助结构（132）。少数载流子从集电极结构（138）到漂移区带结构（120）中的注入效率至少在晶体管单元区域（610）中沿着平行于第一表面（101）的方向变化。

公开(公告)号：CN105679745B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510878201.6

申请日：2015-12-04

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  J.马勒 ,  D.佩多内 ,  A.普吕克尔 ,  H-J.舒尔策 ,  A.施瓦格曼 ,  P.施瓦茨

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01C7/04 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813 ,  H01L45/00

摘要： 本发明涉及具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包含被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）的第一负载端子（L1）。栅极端子（G）被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115）。源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中。热电阻元件（400）被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间。在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。

公开(公告)号：CN105720054A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510975028.1

申请日：2015-12-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

摘要： 提供了具有晶体管单元和增强单元的半导体器件。一种半导体器件包括晶体管单元（TC）和增强单元（EC）。每个晶体管单元（TC）包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115）。晶体管单元（TC）可以在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时在本体区（115）中形成反型沟道（115x）。反型沟道（115x）形成漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分。延迟单元（400）生成第二控制信号（C2），第二控制信号（C2）的后沿相对于第一控制信号（C1）的后沿延迟。增强单元（EC）在第二控制信号（C2）下降到低于比第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在漂移结构（120）中形成反型层（120y）。反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。