公开(公告)号：CN104103617A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410129154.0

申请日：2014-04-01

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  K·希斯 ,  钟蔡梅

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种多层半导体封装。半导体封装包括：半导体裸片，具有在第一侧的第一电极和相对第一侧的、在第二侧处的第二电极；第一引线，在半导体裸片下，并且连接到在封装的第一层处连接到的第一电极；以及第二引线，具有大于第一引线的高度并且在封装中的第一层之上的第二层处终止，该第二层对应于半导体裸片的高度。在半导体裸片和第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线。

公开(公告)号：CN104103617B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410129154.0

申请日：2014-04-01

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  K·希斯 ,  钟蔡梅

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种多层半导体封装。半导体封装包括：半导体裸片，具有在第一侧的第一电极和相对第一侧的、在第二侧处的第二电极；第一引线，在半导体裸片下，并且连接到在封装的第一层处连接到的第一电极；以及第二引线，具有大于第一引线的高度并且在封装中的第一层之上的第二层处终止，该第二层对应于半导体裸片的高度。在半导体裸片和第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线。