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公开(公告)号：CN107004442B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201580065858.9
申请日：2015-11-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 描述了一种包括位线的装置。所述装置还包括第一和第二存储单元，所述第一和第二存储单元耦合至所述位线。所述第一存储单元具有第一存取晶体管。所述第一存取晶体管耦合至第一线路电阻。所述第二存储单元具有第二存取晶体管。所述第二存取晶体管耦合至第二线路电阻。所述第二线路电阻大于所述第一线路电阻。所述装置还包括第一和第二驱动器，所述第一和第二驱动器耦合至所述位线。所述第二驱动器是比所述第一驱动器强的驱动器。所述装置还包括电路系统，所述电路系统用于选择所述第一驱动器将信息写入所述第一存储单元中，并且选择所述第二驱动器将信息写入所述第二存储单元中。
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公开(公告)号：CN104662951A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050347.0
申请日：2013-06-27
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H04W72/0413 , H04J3/1694 , H04L1/1671 , H04L1/1861 , H04L5/14 , H04L12/1407 , H04L47/12 , H04L47/38 , H04W24/10 , H04W28/0289 , H04W72/042 , H04W72/0446 , Y02D70/122 , Y02D70/126 , Y02D70/14
Abstract: 公开了一种用于可操作为报告用户平面拥塞(UPCON)的无线接入网(RAN)节点的技术。所述RAN节点可以包括计算机电路，所述计算机电路被配置为：接收来自核心网(CN)的信息单元(IE)，所述IE包括UPCON相关的策略和控制计费(PCC)信息。所述RAN节点可以在所述RAN节点处，基于在所述UPCON相关的PCC信息中包括的UPCON事件触发，来识别UPCON事件的位置。所述RAN节点可以向所述CN中的一个或多个网络要素报告关于所述UPCON事件的无线接入网拥塞信息(RCI)。
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公开(公告)号：CN104662951B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201380050347.0
申请日：2013-06-27
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H04W72/0413 , H04J3/1694 , H04L1/1671 , H04L1/1861 , H04L5/14 , H04L12/1407 , H04L47/12 , H04L47/38 , H04W24/10 , H04W28/0289 , H04W72/042 , H04W72/0446 , Y02D70/122 , Y02D70/126 , Y02D70/14
Abstract: 公开了一种用于可操作为报告用户平面拥塞(UPCON)的无线接入网(RAN)节点的技术。所述RAN节点可以包括计算机电路，所述计算机电路被配置为：接收来自核心网(CN)的信息单元(IE)，所述IE包括UPCON相关的策略和控制计费(PCC)信息。所述RAN节点可以在所述RAN节点处，基于在所述UPCON相关的PCC信息中包括的UPCON事件触发，来识别UPCON事件的位置。所述RAN节点可以向所述CN中的一个或多个网络要素报告关于所述UPCON事件的无线接入网拥塞信息(RCI)。
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公开(公告)号：CN107004442A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065858.9
申请日：2015-11-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 描述了一种包括位线的装置。所述装置还包括第一和第二存储单元，所述第一和第二存储单元耦合至所述位线。所述第一存储单元具有第一存取晶体管。所述第一存取晶体管耦合至第一线路电阻。所述第二存储单元具有第二存取晶体管。所述第二存取晶体管耦合至第二线路电阻。所述第二线路电阻大于所述第一线路电阻。所述装置还包括第一和第二驱动器，所述第一和第二驱动器耦合至所述位线。所述第二驱动器是比所述第一驱动器强的驱动器。所述装置还包括电路系统，所述电路系统用于选择所述第一驱动器将信息写入所述第一存储单元中，并且选择所述第二驱动器将信息写入所述第二存储单元中。
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公开(公告)号：CN105745715A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380080733.4
申请日：2013-12-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0061 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C14/0081 , G11C14/009
Abstract: 描述了一种包括使用电阻式存储器的具有保持性的存储器单元的设备。该设备包括：包括交叉耦合到第二反相器件的第一反相器件的存储器元件；具有至少一个电阻式存储器元件的恢复电路，该恢复电路耦合到第一反相器件的输出；耦合到第一反相器件的输出的第三反相器件；耦合到第三反相器件的输出的第四反相器件；以及具有至少一个电阻式存储器元件的保存电路，该保存电路耦合到第三反相器件的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518858A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480026806.6
申请日：2014-12-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/02002 , H01L21/02008 , H01L21/02035 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3185 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K1/0298 , H05K1/036 , H05K1/0393 , H05K1/115 , H05K1/181 , H05K3/0014 , H05K3/0044 , H05K2201/0191 , H05K2201/05 , H05K2203/0278 , H05K2203/085 , H01L2924/00
Abstract: 所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。
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公开(公告)号：CN106028471B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610289226.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： P·贾殷 , V·拉奥 , A·S·斯托扬诺夫斯基
IPC: H04W76/27
Abstract: 当在LTE系统中的UE进入RRC_空闲状态时，仅保留S5/S8 EPS承载上下文，并且释放S1‑AP和无线承载。当所述UE返回RRC_连接状态时，必须在每个UE的基础上重建这些承载。大量UE应用可能会频繁地发送小数据，这会使所述UE在空闲状态与连接状态之间转换。随着UE在空闲状态与连接状态之间转变，必须频繁地重建无线承载和S1‑U承载，这便导致大量的信令开销。本文描述的是提供了一种减少该信令开销的永久在线的S1‑U承载的方法和系统。
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公开(公告)号：CN105745715B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380080733.4
申请日：2013-12-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0061 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0011 , G11C13/0014 , G11C14/0081 , G11C14/009
Abstract: 描述了一种包括使用电阻式存储器的具有保持性的存储器单元的设备。该设备包括：包括交叉耦合到第二反相器件的第一反相器件的存储器元件；具有至少一个电阻式存储器元件的恢复电路，该恢复电路耦合到第一反相器件的输出；耦合到第一反相器件的输出的第三反相器件；耦合到第三反相器件的输出的第四反相器件；以及具有至少一个电阻式存储器元件的保存电路，该保存电路耦合到第三反相器件的输出。
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公开(公告)号：CN104737619B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201380044721.6
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： P·贾殷 , V·拉奥 , A·S·斯托扬诺夫斯基
Abstract: 当在LTE系统中的UE进入RRC_空闲状态时，仅保留S5/S8EPS承载上下文，并且释放S1‑AP和无线承载。当所述UE返回RRC_连接状态时，必须在每个UE的基础上重建这些承载。大量UE应用可能会频繁地发送小数据，这会使所述UE在空闲状态与连接状态之间转换。随着UE在空闲状态与连接状态之间转变，必须频繁地重建无线承载和S1‑U承载，这便导致大量的信令开销。本文描述的是提供了一种减少该信令开销的永久在线的S1‑U承载的方法和系统。
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