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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110024133A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201680091057.4
申请日：2016-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/732 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本文公开了垂直晶体管器件和技术。在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一层中的第一晶体管；以及第二层中的第二晶体管，其中，第二晶体管包括第一源极/漏极(S/D)接触部和第二S/D接触部，第一层在第二层和半导体衬底之间，并且第一S/D接触部在第二S/D接触部和第一层之间。在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上方的晶体管，其中，晶体管包括沟道以及在沟道和半导体衬底之间的源极/漏极(S/D)接触部。
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公开(公告)号：CN108292673A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084790.9
申请日：2015-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 本公开的实施例描述了一种半导体多栅极晶体管，所述晶体管具有从衬底延伸并包括子鳍状物区和有源区的半导体鳍状物。子鳍状物区可以包括栅极下方的电介质材料区以提供改进的隔离。可以通过利用电介质材料区替换栅极下方的子鳍状物区的部分，接着制造替换栅极结构，来形成电介质材料区。子鳍状物区可以由各种组合和浓度的III-V族半导体材料构成。有源区可以由不同的III-V族半导体材料构成。电介质材料区可以由非晶硅构成。可以描述和/或主张其它实施例。
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公开(公告)号：CN116259654A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211389785.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/78 , H10B12/00 , H01L21/336
Abstract: 本文描述的是带有具有阻挡区的源极和漏极(S/D)接触部的集成电路装置。S/D接触部将电流传导到半导体装置并且从半导体装置传导电流，例如，传导到晶体管的源极区和漏极区。阻挡区形成在S/D区和内部导电结构之间，并且降低了在S/D区和接触部之间的肖特基势垒高度。阻挡区可以包括一个或多个碳层以及一个或多个金属层。金属层可以包括铌、钽、铝或钛。
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公开(公告)号：CN108292673B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201580084790.9
申请日：2015-12-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开的实施例描述了一种半导体多栅极晶体管，所述晶体管具有从衬底延伸并包括子鳍状物区和有源区的半导体鳍状物。子鳍状物区可以包括栅极下方的电介质材料区以提供改进的隔离。可以通过利用电介质材料区替换栅极下方的子鳍状物区的部分，接着制造替换栅极结构，来形成电介质材料区。子鳍状物区可以由各种组合和浓度的III‑V族半导体材料构成。有源区可以由不同的III‑V族半导体材料构成。电介质材料区可以由非晶硅构成。可以描述和/或主张其它实施例。
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公开(公告)号：CN110383490A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201780087753.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L27/108
Abstract: 公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。
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