公开(公告)号：CN105374784A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510420878.5

申请日：2015-07-17

申请人： 英特尔公司

发明人： M.S.康查德 ,  吴涛 ,  M.K.罗伊 ,  任纬纶 ,  李怡

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19106

摘要： 本发明涉及用于无芯封装和具有嵌入式互连桥的封装的双面阻焊层及其制造方法。公开了一种具有双面阻焊层的无芯封装基板。该无芯封装基板具有顶面和与顶面相对的底面，以及包括由至少一个绝缘层、至少一个通孔和至少一个导电层形成的单个堆积结构。该无芯封装基板也包括在底面上的底部多个接触焊盘，以及在顶面上的顶部多个接触焊盘。底部阻焊层处于底面上，以及顶部阻焊层处于顶面上。双面阻焊的概念被延伸至具有在较宽范围内的C4互连间距的具有内部互连桥的封装。

公开(公告)号：CN111696949A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010092639.2

申请日：2020-02-14

申请人： 英特尔公司

发明人： R.贾因 ,  李圭伍 ,  I.A.萨拉马 ,  A.P.阿卢尔 ,  任纬纶 ,  Y.闵 ,  李声

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

摘要： 实施例包括半导体封装。半导体封装包括多个堆积层以及堆积层中的多个导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。第一导电层在第二导电层和堆积层上方，其中第一通孔耦合第一导电层和第二导电层。该半导体封装还包括堆积层中的薄膜电容器（TFC），其中第二通孔将TFC耦合到第一导电层，并且第二通孔具有比第一通孔的厚度小的厚度。第一导电层可以是第一级互连。堆积层可以是电介质。TFC可包括第一电极、第二电极和电介质。第一电极可在第二电极上方，并且电介质可在第一电极和第二电极之间。