公开(公告)号：CN111052364A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094403.9

申请日：2017-09-29

申请人： 英特尔公司

发明人： 李圭伍 ,  D.塞内维拉特涅 ,  R.T.埃卢里

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498

摘要： 一种半导体封装可以包括半导体封装第一侧、嵌入式桥互连、第一通孔和第二通孔。桥互连可以包括具有导电焊盘的桥互连第一侧和桥互连第二侧。桥互连第一侧与半导体封装第一侧之间的距离可以小于桥互连第二侧与半导体封装第一侧之间的距离。第一和第二通孔可以各自包括比第二端窄的第一端。半导体封装第一侧可以比第一通孔的第二端更靠近第一通孔的第一端，并且比第二通孔的第一端更靠近第二通孔的第二端。所述半导体封装的第一侧可以被配置成电耦合到管芯。

公开(公告)号：CN114551389A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111239069.6

申请日：2021-10-25

申请人： 英特尔公司

发明人： N·艾哈迈德 ,  李圭伍 ,  B·C·马林 ,  段刚

IPC分类号： H01L23/488

摘要： 本文公开的实施例包括具有鳍间距第一级互连的电子封装。在实施例中，电子封装包括管芯和通过多个第一级互连(FLI)附接到管芯的封装衬底。在实施例中，多个FLI中的各个FLI包括封装衬底上的第一焊盘、第一焊盘上的焊料、管芯上的第二焊盘和第二焊盘上的凸块。在实施例中，凸块包括多孔纳米结构，并且焊料至少部分填充多孔纳米结构。

公开(公告)号：CN110323034A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910152147.5

申请日：2019-02-28

申请人： 英特尔公司

发明人： 徐澄 ,  李圭伍 ,  赵俊楠 ,  R·贾因 ,  朴志容 ,  S·瓦德拉曼尼 ,  金瑞暎

IPC分类号： H01F27/02 ,  H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本文公开了在衬底和对应结构中选择性地嵌入磁性材料的方法。实施例包括一种电感器，其包括电感器迹线和围绕电感器迹线的磁体。在实施例中，磁体包括第一台阶表面和第二台阶表面。附加的实施例包括包含阻挡层的电感器。在实施例中，电感器迹线形成在阻挡层的第一表面之上。实施例包括处于电感器迹线和阻挡层的第一表面之上的第一磁体和处于阻挡层的与第一表面相对的第二表面之上的第二磁体。在实施例中，第二磁体的宽度大于第一磁体的宽度。

公开(公告)号：CN110034023A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811455016.6

申请日：2018-11-30

申请人： 英特尔公司

发明人： 朴炫壽 ,  李圭伍 ,  徐澄 ,  金瑞暎

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 实施例包括半导体封装件和形成半导体封装件的方法。半导体封装件包括安置于导电层上的抗蚀层。半导体封装件还具有安置于导电层上的凸块。凸块具有顶面和一个或多个侧壁。半导体封装件还包括安置于凸块的顶面和一个或多个侧壁上的表面抛光剂。半导体封装件可以具有环绕凸块的顶面和侧壁以保护凸块免受电偶腐蚀的表面抛光剂。表面抛光剂可以包括镍-钯-金（NiPdAu）表面抛光剂。半导体封装件还可以具有安置于抗蚀层的顶面上的晶种和安置于晶种上的电介质。电介质可以环绕凸块的侧壁。半导体封装件可以包括作为无电镀的铜晶种的晶种。

公开(公告)号：CN109564915B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201780050271.X

申请日：2017-08-14

申请人： 英特尔公司

发明人： S.C.J.查瓦利 ,  A.E.舒克曼 ,  李圭伍

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

摘要： 用于提供与集成电路封装衬底上的表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在一实施例中，以各种方式电镀不同金属，以形成延伸通过衬底的表面水平电介质到包括铜的种子层的微凸块。所述微凸块包括通过促进微量成分在所述微凸块中的形成而减轻残余铜的沉淀的锡和锌的组合。在另一实施例中，所述微凸块具有锌的质量分数或锡的质量分数，其在沿所述微凸块的高度的各种区中不同。

公开(公告)号：CN111696949A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010092639.2

申请日：2020-02-14

申请人： 英特尔公司

发明人： R.贾因 ,  李圭伍 ,  I.A.萨拉马 ,  A.P.阿卢尔 ,  任纬纶 ,  Y.闵 ,  李声

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

摘要： 实施例包括半导体封装。半导体封装包括多个堆积层以及堆积层中的多个导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。第一导电层在第二导电层和堆积层上方，其中第一通孔耦合第一导电层和第二导电层。该半导体封装还包括堆积层中的薄膜电容器（TFC），其中第二通孔将TFC耦合到第一导电层，并且第二通孔具有比第一通孔的厚度小的厚度。第一导电层可以是第一级互连。堆积层可以是电介质。TFC可包括第一电极、第二电极和电介质。第一电极可在第二电极上方，并且电介质可在第一电极和第二电极之间。

公开(公告)号：CN109564915A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050271.X

申请日：2017-08-14

申请人： 英特尔公司

发明人： S.C.J.查瓦利 ,  A.E.舒克曼 ,  李圭伍

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15747

摘要： 用于提供与集成电路封装衬底上的表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在一实施例中，以各种方式电镀不同金属，以形成延伸通过衬底的表面水平电介质到包括铜的种子层的微凸块。所述微凸块包括通过促进微量成分在所述微凸块中的形成而减轻残余铜的沉淀的锡和锌的组合。在另一实施例中，所述微凸块具有锌的质量分数或锡的质量分数，其在沿所述微凸块的高度的各种区中不同。

公开(公告)号：CN114649290A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111374245.7

申请日：2021-11-19

申请人： 英特尔公司

发明人： M·杜贝 ,  G·阿拉凯雷 ,  D·库尔卡尼 ,  S·阿加阿拉姆 ,  任纬伦 ,  N·艾哈迈德 ,  K·加内桑 ,  A·D·贾达夫 ,  李圭伍

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 一种用于提高金属限定的焊盘的可靠性性能的新颖LGA架构。本文公开的实施例包括电子封装和形成这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括具有管芯侧和连接盘侧的封装衬底。在实施例中，焊盘在连接盘侧上。在实施例中，电介质层覆盖焊盘的侧壁，并且表面精整部在焊盘的暴露表面之上。

公开(公告)号：CN110323202A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910150806.1

申请日：2019-02-28

申请人： 英特尔公司

发明人： 徐澄 ,  李圭伍 ,  赵俊楠 ,  R.贾因 ,  朴志容 ,  S.瓦德拉马尼 ,  金瑞暎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31

摘要： 实施例包括一种电子封装，所述电子封装包括：包括电介质材料的第一层和在所述第一层之上的第二层，其中所述第二层包括磁性材料。在实施例中，在第二层之上形成第三层，其中所述第三层包括电介质材料。在实施例中，所述第三层完全覆盖第二层的第一表面。在实施例中，第一导电层和第二导电层被嵌入在第二层内。在实施例中，第一导电层和第二导电层的侧壁是大体上竖直的。