局部高密度基底布线
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104952838B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201410116450.7

    申请日:2014-03-26

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L23/538 H01L21/768

    摘要: 于此总体描述了对于局部高密度基底布线的系统和方法的实施例。在一个或多个实施例中,设备包含介质、第一和第二电路元件、互连元件、以及介电层。所述介质中能够包含低密度布线。所述互连元件能够被嵌入于所述介质中,并且所述互连元件中能够包含多个导电部件,所述导电部件能够电耦合至所述第一电路元件和所述第二电路元件。所述互连元件中能够包含高密度布线。所述介电层能够在所述互连管芯之上,所述介电层包含穿过所述介电层的所述第一和第二电路元件。

    局部高密度基底布线
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104952838A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201410116450.7

    申请日:2014-03-26

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L23/538 H01L21/768

    摘要: 于此总体描述了对于局部高密度基底布线的系统和方法的实施例。在一个或多个实施例中,设备包含介质、第一和第二电路元件、互连元件、以及介电层。所述介质中能够包含低密度布线。所述互连元件能够被嵌入于所述介质中,并且所述互连元件中能够包含多个导电部件,所述导电部件能够电耦合至所述第一电路元件和所述第二电路元件。所述互连元件中能够包含高密度布线。所述介电层能够在所述互连管芯之上,所述介电层包含穿过所述介电层的所述第一和第二电路元件。

    交错式有源位线感测
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115223629A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210280481.0

    申请日:2022-03-21

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: G11C16/08 G11C16/24 G11C16/34

    摘要: 本文公开了交错式有源位线感测。系统、设备和方法可以提供向NAND存储器中的偶数位线施加第一组控制信号并在偶数感测时间段期间感测偶数位线的电压电平的技术。该技术还可以向NAND存储器中的奇数位线施加第二组控制信号,并在奇数感测时间段期间感测奇数位线的电压电平,其中,在偶数感测时间段和奇数感测时间段之间的交错时间段到期之后,施加第二组控制信号。