光伏组件静态荷载测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN113740175A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110951109.3

    申请日:2021-08-18

    IPC分类号: G01N3/14 G01N3/02

    摘要: 本发明提供了一种光伏组件静态荷载测试装置及测试方法,属于光伏组件测试技术领域,包括支撑框架、测试支架以及沙袋,支撑框架的横梁上设有轨道,轨道上设有吊装架;测试支架位于所述轨道的下方,测试支架包括基座、两组立柱支撑以及翻转框架,基座上设有滑轨;两组立柱支撑滑动设置在滑轨上;翻转框架支撑在两组立柱支撑上,翻转框架通过设置在外侧的第二驱动机构,带动光伏组件实现180°翻转的自由度;沙袋位于轨道的下方,沙袋通过吊装架起吊,并随吊装架沿轨道移动,施压到光伏组件上。本发明提供的光伏组件静态荷载测试装置,采用沙袋施压,提高测试的精度;通过翻转框架带动光伏组件翻转,降低操作难度。

    光伏组件用于海水环境的设计试验方法及装置

    公开(公告)号:CN113533181A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110765217.1

    申请日:2021-07-06

    IPC分类号: G01N17/00 G01R31/00 H02S50/10

    摘要: 本发明提供了一种光伏组件用于海水环境的设计试验方法及装置,试验方法包括将试件进行外观及电性能测试并记录初始数据后固定放置在试验箱内;向试验箱内排入热海水溶液至淹没试件;向试验箱内反复加压、泄压多次;将热海水溶液排出试验箱,并向试验箱内排入冷海水溶液至淹没试件;向试验箱内反复加压、泄压多次后将冷海水溶液排出试验箱;重复循环多次后取出试件,对试件进行外观及电性能测试并记录试验数据;对比初始数据和试验数据,获得试件的外观变化情况和功率衰减比例。本发明提供的光伏组件用于海水环境的设计试验方法,试验环境与天然海水环境接近度高,能够为光伏组件在海水环境中的应用提供可靠的设计试验数据。

    一种选择性发射极电池的制作方法

    公开(公告)号:CN103367124A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201110460012.9

    申请日:2011-12-31

    IPC分类号: H01L21/228 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法,包括步骤:1)去除硅片的损伤层,在硅片的表面制备绒面;2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂;3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散,得到正面正电极区以外区域的p-n结;4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结;5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜;6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极,背电场和正电极,并进行烧结,使电极金属化,得到选择性发射极电池;7)测试选择性发射极电池的各项参数,并按工艺标准将其分档。本方法,有效提高太阳能电池的转换效率,并能方便应用于生产中。

    光伏组件静态荷载测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN113740175B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202110951109.3

    申请日:2021-08-18

    IPC分类号: G01N3/14 G01N3/02

    摘要: 本发明提供了一种光伏组件静态荷载测试装置及测试方法,属于光伏组件测试技术领域,包括支撑框架、测试支架以及沙袋,支撑框架的横梁上设有轨道,轨道上设有吊装架;测试支架位于所述轨道的下方,测试支架包括基座、两组立柱支撑以及翻转框架,基座上设有滑轨;两组立柱支撑滑动设置在滑轨上;翻转框架支撑在两组立柱支撑上,翻转框架通过设置在外侧的第二驱动机构,带动光伏组件实现180°翻转的自由度;沙袋位于轨道的下方,沙袋通过吊装架起吊,并随吊装架沿轨道移动,施压到光伏组件上。本发明提供的光伏组件静态荷载测试装置,采用沙袋施压,提高测试的精度;通过翻转框架带动光伏组件翻转,降低操作难度。

    硅片的清理方法及减反射膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103606594B

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201310588900.8

    申请日:2013-11-20

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种硅片的清理方法及减反射膜的制备方法。该清理方法包括:步骤S1,将硅片置于PECVD设备的工艺腔中进行预热至预定温度;步骤S2,向硅片的表面通入卤化氢气体,并使卤化氢气体发生等离子体化。在PECVD工艺腔中将卤化氢气体等离子化,利用等离子体化的氢离子对硅片进行钝化,去除硅片表面的氧化物;利用等离子体化的卤素离子与硅片表面的金属离子进行反应形成气态的金属卤化物,所形成的金属卤化物随着未反应的卤化氢气体排出PECVD工艺腔;上述清理方法在PECVD工艺腔中实施,因此不需要化学清洗所需的清洗设备和清洗药剂;经过上述清理之后的硅片有效地避免了污染物或氧化物对硅片产生的负面影响。

    选择性发射极电池正电极的印刷方法

    公开(公告)号:CN102602183B

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201210057032.6

    申请日:2012-03-06

    IPC分类号: B41M3/00

    摘要: 本发明提供了一种选择性发射极电池正电极的印刷方法,包括以下步骤,在深扩散区图案形成时,在硅片的表面加工不少于三个定位图标,定位图标的中心与深扩散区图案上的中心点重合;在正银图案印刷时,找出各个定位图标的位置,计算得出定位图标的中心;将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合定位后进行正银印刷。由于定位图标的中心与硅片上的中心点重合,将定位图标的中心与正银图案上的中心点重合,即完成了深扩散后的硅片与正银图案的重合,即可进行正银印刷。通过在硅片的表面加工定位图标作为正银图案与硅片的定位基准,使得深扩散区图案和正银印刷图案位置一致,满足了精度要求,同时避免了对设备选型的限制,降低了成本。

    选择性发射极电池二次沉积扩散工艺

    公开(公告)号:CN102569532A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210058534.0

    申请日:2012-03-07

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种选择性发射极电池二次沉积扩散工艺,用于在晶硅太阳能电池硅片表面进行磷源沉积,包括将所述晶硅太阳能电池硅片置于第一预设温度环境中,通源、通氧至磷源沉积到预设浓度。或者,将所述晶硅太阳能电池硅片置于第三预设温度环境中,通源、通氧,以第一预设温度推进至磷源沉积到预设浓度。当达到预设浓度时,降温至第二预设温度后,继续通源、通氧以进行磷源沉积,激光掺杂后得到二次沉积后的晶硅太阳能电池。在降温后继续通源、通氧,磷源会继续在硅片表面进行沉积,使得硅片表面的磷源浓度提高,对表面磷源浓度较高的晶硅太阳能电池硅片进行激光掺杂工艺,可以采用较低的激光能量,得到符合要求的晶硅太阳能电池。