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公开(公告)号：CN118707804B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411195937.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种低温欠压印法制备聚合物阵列纳米喷针的方法及纳米喷针；本发明结合浇注法和氧等离子体处理制备了“三明治”微米喷针模具；采用“三明治”微米喷针模具通过低温欠压印法制备了喷针纳米沟道同时采用光刻技术制备了喷针微米沟道；最后采用热键合法密封了喷针微纳米沟道，并采用湿法刻蚀方法去除掉牺牲层二氧化硅层获得针尖悬空的聚合物阵列纳米喷针。本发明公开的一种低温欠压印法制备聚合物阵列纳米喷针的方法及纳米喷针，制造的微米模具成本低廉、更易于实现；在热压的过程中，使用微米凸模具进行欠热压即可获得纳米图形；采用成本低廉的微米模具在低温下即可获得纳米图形，具有很大的市场应用价值。
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公开(公告)号：CN118702056A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411196761.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种快速制造微纳米沟道的方法以及制备微纳米脊的方法；采用的一种低成本快速制造阵列微纳米沟道、交叉式阵列微纳米沟道和阵列微纳米脊的方法；以PDMS柔性材料为基底，BN系列光刻胶为目标材料，通过简单的剥离工艺能直接获得阵列微纳米沟道；更改剥离起始点能在不影响原图形的基础上获得交叉式阵列微纳米沟道；剥离去除BN系列光刻胶可获得阵列微纳米脊。本发明的一种快速制造微纳米沟道的方法以及制备微纳米脊的方法，具有高效创新、成本低、易于实现，还具有较大的应用潜力和商业价值。
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公开(公告)号：CN118702056B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411196761.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种快速制造微纳米沟道的方法以及制备微纳米脊的方法；采用的一种低成本快速制造阵列微纳米沟道、交叉式阵列微纳米沟道和阵列微纳米脊的方法；以PDMS柔性材料为基底，BN系列光刻胶为目标材料，通过简单的剥离工艺能直接获得阵列微纳米沟道；更改剥离起始点能在不影响原图形的基础上获得交叉式阵列微纳米沟道；剥离去除BN系列光刻胶可获得阵列微纳米脊。本发明的一种快速制造微纳米沟道的方法以及制备微纳米脊的方法，具有高效创新、成本低、易于实现，还具有较大的应用潜力和商业价值。
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公开(公告)号：CN118707804A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411195937.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种低温欠压印法制备聚合物阵列纳米喷针的方法及纳米喷针；本发明结合浇注法和氧等离子体处理制备了“三明治”微米喷针模具；采用“三明治”微米喷针模具通过低温欠压印法制备了喷针纳米沟道同时采用光刻技术制备了喷针微米沟道；最后采用热键合法密封了喷针微纳米沟道，并采用湿法刻蚀方法去除掉牺牲层二氧化硅层获得针尖悬空的聚合物阵列纳米喷针。本发明公开的一种低温欠压印法制备聚合物阵列纳米喷针的方法及纳米喷针，制造的微米模具成本低廉、更易于实现；在热压的过程中，使用微米凸模具进行欠热压即可获得纳米图形；采用成本低廉的微米模具在低温下即可获得纳米图形，具有很大的市场应用价值。
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