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公开(公告)号：CN110634964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111697088B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010427147.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/06
Abstract: 本发明提供了一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池。该制备方法包括：提供一非抛光的硅基底和一具有预设图案的灰度图；按照预设图案设定待显示在硅基底上的像素点阵列，每个像素点由待刻蚀在硅基底上的绒面结构所形成的待刻蚀区和未刻蚀绒面结构的未刻蚀区按照预定比例组成；根据硅基底和绒面结构的光学参数确定像素点的尺寸以及确定将待刻蚀区和未刻蚀区中哪个区域作为像素点的中心区域；获得灰度图的灰度值与像素点的中心区域边长之间的关系；将灰度图的灰度矩阵按照转换关系转换为待显示在硅基底上的像素点阵列组成的结构图形；利用结构图形制作获得光刻掩模板；利用光刻掩模板按照图案化工艺在硅基底上刻蚀出与灰度图对应的图案。
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公开(公告)号：CN110634983A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920590.2
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。
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公开(公告)号：CN109449221A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811629271.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109449221B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811629271.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110634973A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920589.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型晶硅太阳电池，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度；在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下，规避硼扩散工艺，简化制备流程，此外，还减小背面N型硅区域的复合速率，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN111697088A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010427147.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/06
Abstract: 本发明提供了一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池。该制备方法包括：提供一非抛光的硅基底和一具有预设图案的灰度图；按照预设图案设定待显示在硅基底上的像素点阵列，每个像素点由待刻蚀在硅基底上的绒面结构所形成的待刻蚀区和未刻蚀绒面结构的未刻蚀区按照预定比例组成；根据硅基底和绒面结构的光学参数确定像素点的尺寸以及确定将待刻蚀区和未刻蚀区中哪个区域作为像素点的中心区域；获得灰度图的灰度值与像素点的中心区域边长之间的关系；将灰度图的灰度矩阵按照转换关系转换为待显示在硅基底上的像素点阵列组成的结构图形；利用结构图形制作获得光刻掩模板；利用光刻掩模板按照图案化工艺在硅基底上刻蚀出与灰度图对应的图案。
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公开(公告)号：CN110634964A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN209087857U
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201822238505.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯晶硅太阳电池结构，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本实用新型相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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