公开(公告)号：CN111718333B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202010641980.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 张业欣 ,  朱向东 ,  崔林松 ,  刘向阳 ,  陈华

IPC: C07D403/10 ,  C07D239/70 ,  C07D401/10 ,  C07D413/10 ,  C07D417/10 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D487/04 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  C09K11/06 ,  H10K50/17 ,  H10K50/15 ,  H10K50/11 ,  H10K50/18 ,  H10K50/16 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K30/00 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K30/80 ,  H10K10/46 ,  H10K10/80

Abstract: 本发明涉及1,3‑二氮杂芴化合物和电子器件。本发明的1,3‑二氮杂芴化合物通过引入1,3‑二氮杂芴刚性结构，其的成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的1,3‑二氮杂芴化合物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的1,3‑二氮杂芴化合物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。

公开(公告)号：CN114213229A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111614351.8

申请日：2021-12-27

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 张业欣 ,  黄岩 ,  朱向东 ,  陈华

IPC: C07C45/63 ,  C07C49/697

Abstract: 本发明提供了一种2‑溴芴酮的制备方法，包括如下步骤，取芴酮分散于水相，加溴素，搅拌，加热；待大部分溴素参与反应后，滴加双氧水至反应体系，将反应生成的溴化氢氧化成溴素继续参与反应；反应结束后，冷却，经离心、洗涤得到2‑溴芴酮粗品；将所述2‑溴芴酮粗品与结晶溶剂分散，加热至充分溶解，再降温析晶，离心，获得2‑溴芴酮。本发明制备的2‑溴芴酮的纯度为99％以上，制备方法高效、环保。

公开(公告)号：CN112094170A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011050966.8

申请日：2020-09-29

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 张业欣 ,  朱向东 ,  崔林松 ,  陈华

IPC: C07C13/62 ,  C07D307/91 ,  C07C13/567 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明提供芴类化合物及其发光器件。本发明将具有刚性结构的芴类官能团通过独特的大位阻连接位点引入有机化合物。形成的芴类化合物具有优异的成膜性和热稳定性，可用于制备有机电致发光器件。本发明的芴类化合物特别适合制备蓝光有机电致发光器件，可以作为空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料。更为重要的是，本发明的芴类化合物具有优异的传输性能和发光性能，在作为发光层材料，尤其是蓝光发光层材料时能够降低有机电致发光器件的驱动电压，提高器件的效率，以及延长器件寿命。本发明的芴类化合物的器件性能优异，制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。

公开(公告)号：CN111662244A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010641152.5

申请日：2020-07-06

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 张业欣 ,  朱向东 ,  崔林松 ,  刘向阳 ,  陈华

IPC: C07D253/065 ,  C07D401/14 ,  C07D403/10 ,  C07D403/14 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及偏三嗪类化合物和电子器件。本发明的偏三嗪类化合物通过引入偏三嗪类刚性结构，其的成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的偏三嗪类化合物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的偏三嗪类化合物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。

公开(公告)号：CN111548348A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010307203.0

申请日：2020-04-17

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  朱向东 ,  张业欣 ,  陈华

IPC: C07D471/04 ,  C07D519/00 ,  C07F5/02 ,  C07F7/08 ,  C09K11/06 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及芴并氮杂萘类衍生物及其合成方法和含有芴并氮杂萘类衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，Y表示C(R1)2、NR1、O、S、SO2、P(＝O)R1、Si(R1)2、Ge(R1)2或者单键中的一个或多个。本发明的芴并氮杂萘类衍生物通过引入芴并氮杂萘类刚性结构，得到的芴并氮杂萘类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的芴并氮杂萘类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。

公开(公告)号：CN111393436A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010231057.8

申请日：2020-03-27

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  朱向东 ,  张业欣 ,  陈华

IPC: C07D471/04 ,  C07D487/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种菲并氮杂奈类衍生物及其制备方法和电子器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明菲并氮杂奈通过引入菲并氮杂奈类衍生物的稠环结构，得到的菲并氮杂奈类衍生物成膜性和热稳定性优异以及荧光量子产率较高，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的菲并氮杂奈类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。本发明还公开一种菲并氮杂奈类衍生物的制备方法，以及使用菲并氮杂奈类衍生物的电子器件。

公开(公告)号：CN111018783A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911072911.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  刘向阳 ,  张业欣 ,  陈华

IPC: C07D221/20 ,  C07D401/10 ,  C07D413/10 ,  C07D417/10 ,  C07D405/12 ,  C07D491/048 ,  C07D401/12 ,  C07F9/576 ,  C07F5/02 ,  C07F7/10 ,  C07D471/04 ,  C07D401/04 ,  C07D413/04 ,  C07D417/04 ,  C07D409/12 ,  C07D487/04 ,  C07D487/06 ,  C07D519/00 ,  C07F9/6561 ,  C07D498/06 ,  C07D513/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及螺苯并蒽酮类衍生物和电子器件。本发明的螺苯并蒽酮类衍生物通过引入螺苯并蒽酮类刚性结构，得到的螺苯并蒽酮类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的螺苯并蒽酮类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的螺苯并蒽酮类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。

公开(公告)号：CN110950829A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911078157.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  刘向阳 ,  张业欣 ,  陈华

IPC: C07D311/96 ,  C07D405/04 ,  C07D417/04 ,  C07D413/04 ,  C07D487/04 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D409/12 ,  C07D407/12 ,  C07D405/12 ,  C07D405/10 ,  C07F5/02 ,  C07F9/655 ,  C07F7/08 ,  C07D471/04 ,  C07F9/6553 ,  C07D335/04 ,  C07D519/00 ,  C07D409/14 ,  C07D417/14 ,  C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明涉及螺苯并蒽酮类衍生物和电子器件。本发明的螺苯并蒽酮类衍生物通过引入螺苯并蒽酮类刚性结构，得到的螺苯并蒽酮类衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的螺苯并蒽酮类衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。此外，本发明的螺苯并蒽酮类衍生物的制备方法简单，原料易得，能够满足工业化的发展需求。

公开(公告)号：CN110845481B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201911143857.8

申请日：2019-11-20

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  刘向阳 ,  张业欣 ,  陈华

IPC: C07D403/10 ,  C07D401/10 ,  C07D237/26 ,  C07D413/10 ,  C07D417/10 ,  C07F7/10 ,  C07F7/30 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D487/04 ,  C07D403/14 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D405/12 ,  C07D409/12 ,  C07F9/6509 ,  C07F5/02 ,  C07D401/14 ,  C07F9/6558 ,  C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H10K50/00 ,  H10K30/50 ,  H10K10/46 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及3,4‑二氮杂芴衍生物及其合成方法和含有3,4‑二氮杂芴衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L1和L2各自独立地表示单键、羰基、具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基中的一个或多个。本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物通过引入3,4‑二氮杂芴刚性结构，得到的3,4‑二氮杂芴衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。

公开(公告)号：CN111647010B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010489489.9

申请日：2020-06-02

Applicant: 苏州久显新材料有限公司

Inventor： 崔林松 ,  张业欣 ,  朱向东 ,  陈华

IPC: C07F5/02 ,  C07F7/08 ,  H10K85/00 ,  H10K50/00

Abstract: 本发明涉及多环含硼化合物及其电子器件。本发明通过引入硼元素，构建了具有刚性结构特征的化合物，这种刚性结构可以有效抑制分子振动和转动带来的振动弛豫，从而有利于提高分子的荧光量子产率和减小发光光谱的半峰宽。此外，刚性结构也使分子具有优异的成膜性和热稳定性，可以进一步改善器件的稳定性；另外，由于本发明的多环含硼化合物定位在咔唑和芴基元的1或4位，制备时无异构体产生，便于纯化。利用本发明的化合物制备的电致发光器件表现出驱动电压低、发光效率高、器件寿命长、光谱色纯度高等优越性能。此外，本发明的多环含硼化合物的制备方法简单，原料易得，材料容易纯化，能够满足工业化的发展需求。