公开(公告)号：CN107180810B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710128412.7

申请日：2017-03-06

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 江俊河 ,  山坤书 ,  纳锡河 ,  金真烨 ,  金阳奎 ,  江森河 ,  林德英 ,  洪森门 ,  金森竣 ,  柳森汉 ,  姜坤南 ,  俞雄赫

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552

摘要： 具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法。一种半导体装置包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助线，由此减小封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。在一个实施例中，所述半导体装置包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；和辅助线，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线且形成为垂直于所述屏蔽线。在另一实施例中，凸块结构用以支撑所述屏蔽线。在又一实施例中，辅助线包含凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。

公开(公告)号：CN116364701A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310409668.0

申请日：2017-03-06

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 江俊河 ,  山坤书 ,  纳锡河 ,  金真烨 ,  金阳奎 ,  江森河 ,  林德英 ,  洪森门 ,  金森竣 ,  柳森汉 ,  姜坤南 ,  俞雄赫

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法。一种半导体装置包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助线，由此减小封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。在一个实施例中，所述半导体装置包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；和辅助线，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线且形成为垂直于所述屏蔽线。在另一实施例中，凸块结构用以支撑所述屏蔽线。在又一实施例中，辅助线包含凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。

公开(公告)号：CN107180810A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710128412.7

申请日：2017-03-06

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 江俊河 ,  山坤书 ,  纳锡河 ,  金真烨 ,  金阳奎 ,  江森河 ,  林德英 ,  洪森门 ,  金森竣 ,  柳森汉 ,  姜坤南 ,  俞雄赫

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/4889 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48998 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L23/49 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/42 ,  H01L24/43

摘要： 具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法。一种半导体装置包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助线，由此减小封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。在一个实施例中，所述半导体装置包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；和辅助线，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线且形成为垂直于所述屏蔽线。在另一实施例中，凸块结构用以支撑所述屏蔽线。在又一实施例中，辅助线包含凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。

公开(公告)号：CN206685370U

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201720208944.7

申请日：2017-03-06

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 江俊河 ,  山坤书 ,  纳锡河 ,  金真烨 ,  金阳奎 ,  江森河 ,  林德英 ,  洪森门 ,  金森竣 ,  柳森汉 ,  姜坤南 ,  俞雄赫

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/4889 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48998 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 本实用新型涉及具有增大的附接角度的导电线的半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；半导体裸片，其安装到所述衬底；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；以及辅助结构，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。本实用新型所解决的技术问题为克服制造半导体装置的问题。本实用新型所达到的技术效果为提供具有改良可制造性的半导体装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利