公开(公告)号：CN105409122A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480041805.9

申请日：2014-09-10

Applicant: 美国休斯研究所

Inventor： 布莱恩·休斯 ,  卡里姆·S·布特罗斯 ,  丹尼尔·M·森德 ,  萨迈赫·G·哈利勒 ,  储荣明

IPC: H03K17/041

CPC classification number: H03K17/04106 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半桥电路，其包括一绝缘衬底；一位于所述绝缘衬底表面上的金属层；一位于所述金属层上的功率环路衬底；一位于所述功率环路衬底上的上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的下切换开关，其连接于所述上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的电容，其连接于所述上切换开关；一贯穿所述功率环路衬底的第一沟道，其被连接于所述下切换开关与金属层之间；一贯穿所述功率环路衬底的第二沟道，其被连接于所述电容与金属层之间；其中，所述功率环路衬底具有一定高度，并通过此高度将所述金属层与上切换开关、下切换开关、电容这三者隔开。

公开(公告)号：CN107615491A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029172.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 美国休斯研究所

Inventor： 布莱恩·休斯 ,  储荣明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1483

Abstract: 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。

公开(公告)号：CN107615491B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201680029172.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 美国休斯研究所

Inventor： 布莱恩·休斯 ,  储荣明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。

公开(公告)号：CN105409122B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480041805.9

申请日：2014-09-10

Applicant: 美国休斯研究所

Inventor： 布莱恩·休斯 ,  卡里姆·S·布特罗斯 ,  丹尼尔·M·森德 ,  萨迈赫·G·哈利勒 ,  储荣明

IPC: H03K17/041

CPC classification number: H03K17/04106 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半桥电路，其包括一绝缘衬底；一位于所述绝缘衬底表面上的金属层；一位于所述金属层上的功率环路衬底；一位于所述功率环路衬底上的上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的下切换开关，其连接于所述上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的电容，其连接于所述上切换开关；一贯穿所述功率环路衬底的第一沟道，其被连接于所述下切换开关与金属层之间；一贯穿所述功率环路衬底的第二沟道，其被连接于所述电容与金属层之间；其中，所述功率环路衬底具有一定高度，并通过此高度将所述金属层与上切换开关、下切换开关、电容这三者隔开。