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公开(公告)号：CN112017717B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010447669.0
申请日：2020-05-25
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及改进存储器控制电压的校准的系统和方法。根据所公开的实施方案，即使在字线电压增大期间，也可以根据总串电流的斜率的变化来在存储器操作期间校准诸如Vpass或Vwlrv之类的存储器控制电压。在一种示例性方法中，字线从起始电压到终止电压在阶跃中逐步增大，测量每个阶跃下的斜率变化，将测量的斜率变化与阈值进行比较，并根据斜率变化达到阈值时的字线电压来确定调整后存储器控制电压。因此，可以在对诸如编程温度、编程模式和/或编程时间之类的工作参数不太敏感的情况下确定并动态地校准存储器控制电压。
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公开(公告)号：CN115206357B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210363967.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开的实施例涉及在电荷泵恢复周期期间使用动态计时得到的峰值电流减少。一种系统包含用以对存储器阵列的字线进行充电的电荷泵、耦合的包含电平检测器的泵调节器，以及耦合在所述电平检测器与振荡器之间的动态时钟逻辑。所述逻辑向所述电荷泵提供时钟信号且将执行包含以下各项的操作：检测所述电荷泵已进入恢复周期；致使所述振荡器在所述恢复周期的第一时间周期期间向所述电荷泵输出包括比在所述恢复周期之前的时间周期期间的输出更低的频率的第一时钟信号；检测来自所述电平检测器的电压电平满足跳变点准则；以及致使所述振荡器在所述恢复周期的第二时间周期期间且响应于所述检测而向所述电荷泵输出包括比在所述恢复周期之前的所述时间周期期间的输出更高的频率的第二时钟信号。
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公开(公告)号：CN113227738B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201980085868.7
申请日：2019-12-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明提供一种微电子芯片装置，其包含：半导体衬底；及多个芯片上应变传感器(OCSS)，其在所述衬底上构建在所述衬底的各个位置处。所述OCSS可各自包含经配置以感测所述各个位置中的位置处的应变且产生表示那个位置处的所述应变的应变信号的多个压阻装置。应变测量电路也可经构建在所述半导体衬底上且经配置以从由所述OCSS产生的所述应变信号测量应变参数。所述应变参数表示所述各个位置处的所述应变。所述应变参数的值可用于分析所述芯片装置上的机械应力。
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公开(公告)号：CN114846547A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088190.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C5/14 , G11C16/04 , G11C16/30 , G11C16/32 , G05F1/46 , G05F1/575 , H02M3/07 , H02M3/156 , H05K1/02
Abstract: 电压产生系统可包含电阻性分压器，其具有连接于其输出与第一反馈节点之间的第一电阻，并且具有连接于所述第一反馈节点与第一电压节点之间的第二电阻；电容性分压器，其具有连接于其输出与第二反馈节点之间的第一电容，并且具有连接于所述第二反馈节点与所述第一电压节点之间的第二电容；比较器，其具有连接到所述第二反馈节点的输入；和电压产生电路，其被配置成响应于所述比较器的输出并且响应于时钟信号而在其输出处产生电压电平，其中所述第一反馈节点选择性地连接到所述第二反馈节点并且选择性地连接到第二电压节点，所述第一电阻选择性地连接到所述第一反馈节点，且所述第二电阻选择性地连接到所述第一电压节点。
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公开(公告)号：CN113227738A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085868.7
申请日：2019-12-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明提供一种微电子芯片装置，其包含：半导体衬底；及多个芯片上应变传感器(OCSS)，其在所述衬底上构建在所述衬底的各个位置处。所述OCSS可各自包含经配置以感测所述各个位置中的位置处的应变且产生表示那个位置处的所述应变的应变信号的多个压阻装置。应变测量电路也可经构建在所述半导体衬底上且经配置以从由所述OCSS产生的所述应变信号测量应变参数。所述应变参数表示所述各个位置处的所述应变。所述应变参数的值可用于分析所述芯片装置上的机械应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111327191A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910962683.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及多级充电泵中的级保护。本发明揭示设备、系统及方法，包含一种具有泵激功能的充电泵，所述充电泵包含串联连接的多个泵级。每一泵级包含：电容器节点，其耦合到电容元件；低电压装置，其包含具有阈值电压的电介质层；及输出节点，其通过所述低电压装置耦合到所述电容器节点。所述充电泵还包含耦合于参考电压与共用节点之间的共用放电电路。所述充电泵还包含各自耦合于相应泵级的所述输出节点与所述共用节点之间的多个高电压二极管。所述共用放电电路包含电流源，所述电流源经配置以在所述充电泵的所述泵激功能被停用时将电流供应到所述输出节点。
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公开(公告)号：CN115729775A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211037443.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F11/30
Abstract: 本申请涉及一种检测范围外操作温度的存储器装置。存储器装置包含存储器裸片，存储器裸片包含内部供电温度计以：确定存储器裸片的第一测量的操作温度值；检测第一测量的操作温度值满足第一条件或第二条件中的一者；且响应于第一测量的操作温度值满足第一条件或第二条件中的一者而产生指示存储器裸片的范围外操作温度的第一信号。存储器裸片还包含外部供电温度计以：确定存储器裸片的第二测量的操作温度值；检测第二测量的操作温度值满足第一条件或第二条件中的一者；且响应于第二测量的操作温度值满足第一条件或第二条件中的一者而产生指示存储器裸片的范围外操作温度的第二信号。
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公开(公告)号：CN115705896A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210986595.7
申请日：2022-08-17
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置的存储器阵列上发起读取操作并且执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变。所述控制逻辑确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，并且响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。
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公开(公告)号：CN115668380A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035689.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种存储器装置包含：存储器阵列，其包括多个字线；以及选择性地耦合到所述多个字线的调节器电路，其中所述调节器电路经配置以执行检测例程以对来自所述多个字线中的所选择字线的负载电流进行取样并生成测得输出电压，其中所述测得输出电压相对于所述负载电流进行调制。所述存储器装置进一步包含：耦合到所述调节器电路的比较器电路，其中所述比较器电路经配置以基于所述测得输出电压与参考电压之间的差而生成比较结果；以及耦合到所述比较器电路的本地媒体控制器，其中所述本地媒体控制器经配置以响应于所述比较结果满足阈值条件而标识所述所选择字线上的缺陷的存在。
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公开(公告)号：CN114945986A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080093402.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 电子装置的电阻器‑电容器(RC)传感器电路使用驱动所述电子装置的电子电路线的电流的代表性副本驱动到驱动电压。所述RC传感器电路用以对指示所述电子电路线的RC时间常数的电压进行取样。第一样本电压通过对通过在第一时段内用所述电流的所述代表性副本驱动所述RC传感器电路在所述RC传感器电路处产生的第一代表性电压进行取样来确定。第二样本电压通过对通过在第二时段内用所述电流的所述代表性副本驱动所述RC传感器电路在所述RC传感器电路处产生的第二代表性电压进行取样来确定。所述第一样本电压与所述第二样本电压的比率指示所述电子电路线的所述RC时间常数。
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