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公开(公告)号：CN118824308A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410385491.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及耦合半导体系统中的数据路径信号放大。半导体系统可以实施包含存储器阵列的第一裸片和包含主机接口的第二裸片。所述第一裸片可包含所述存储器阵列与所述主机接口之间的数据路径的第一部分，其包含第一部分数据路径放大电路系统。所述第二裸片可包含所述数据路径的第二部分，其包含第二部分数据路径放大电路系统。所述半导体系统可实施裸片之间的细间距互连，以支持所述数据路径的相对较大数量的信号路径，在一些实例中，这可支持减少或消除与较粗互连相关联的串行化/去串行化电路系统。在一些实施方案中，半导体系统可实施切换组件，所述切换组件可用于在具有所述裸片的不同放大配置的数据路径之间进行切换。
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公开(公告)号：CN118098298A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311612175.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及用于经耦合主机及存储器裸片的技术。举例来说，为了将存储器存取电路系统分布于堆叠的多个半导体裸片当中，第一裸片可包含一组一或多个存储器阵列及经配置以存取所述一组存储器阵列的所述电路系统的第一部分，且第二裸片可包含经配置以存取所述一组存储器阵列的所述电路系统的第二部分。经配置以存取一组存储器阵列的所述电路系统的所述第一部分及所述第二部分可使用各种互连技术(例如所述相应存储器裸片的导电触点的融合)通信地耦合于所述裸片之间。在一些实例中，所述第二裸片还可包含所述主机本身(例如主机处理器)。
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公开(公告)号：CN109698004B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811011108.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本申请案涉及用于可重新配置的存储器架构和电子存储器设备的方法。本申请案是针对可重新配置的存储器架构。本文中描述用于可重新配置的存储器装置的技术，所述存储器装置可基于用来耦合所述存储器装置与主机装置的插入物的类型而配置。所述可重新配置的存储器装置可包含多个组件以获得多个配置。可基于所述存储器装置中使用的插入物的类型启动/撤销启动可重新配置的存储器裸片的各种组件。举例来说，如果使用第一类型的插入物(例如，高密度插入物)，则数据通道可为八个数据引脚宽。相比之下，如果使用第二类型的插入物(例如，基于有机物的插入物)，则所述数据通道可为四个数据引脚宽。由此，可重新配置的存储器装置可包含在一些配置中不活动的数据引脚和相关驱动器。
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公开(公告)号：CN119446215A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410995434.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/406 , G11C11/4074
Abstract: 本申请案涉及堆叠式存储器架构中的行锤缓解可靠性。备用计数器可实施于逻辑裸片的第一接口块处以实现行锤缓解的提高可靠性及效率。所述第一接口块可在发生与存储器阵列裸片处的计数器相关联的错误时使用备用计数器。阵列裸片的第二接口块可识别与存储器阵列的计数器相关联的错误且可向所述第一接口块传输所述错误的指示。所述第一接口块可接收所述指示且可基于所述指示而激活备用计数器跟踪对行的存取操作(例如行激活)。所述第一接口块可使用所述备用计数器来评估是否向所述第二接口块传输刷新信令用于行锤缓解。
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公开(公告)号：CN109697997A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811006076.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案是针对存储器装置的帧协议。本文中描述用于训练程序的技术，所述训练程序识别帧边界且产生帧时钟以识别帧的开始和结束。在帧训练程序完成之后，存储器装置可经配置以在所述存储器装置的作用中会话期间执行帧同步程序以基于所述帧时钟而不使用所述帧内的标头或其它信息来识别帧的所述开始。在通电事件之后的启动时间周期期间，所述存储器装置可起始所述帧训练程序。一旦所述帧同步，所述存储器装置就可经配置以作为帧同步程序的部分在整个作用中会话期间(例如，直到断电事件为止)使用所述帧时钟来识别帧的所述开始。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637007A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311054747.0
申请日：2023-08-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请涉及具有并行主接口及测试接口的存储器。存储器裸片可经配置有可个别地(例如，单独地)支持评估操作(例如，在组装成多裸片堆叠之前或作为所述组装的部分)或存取操作(例如，在组装成多裸片堆叠之后)的并行接口。例如，存储器裸片可包含支持与或经由多裸片堆叠中的另一存储器裸片传递信令的第一组一或多个接触件。所述存储器裸片还可包含支持对预组装评估的探测的第二组一或多个接触件，所述第二组一或多个接触件可与所述第一组接触件电隔离。通过实施此类并行接口，可使用所述第二组接触件执行评估操作，而不会损坏所述第一组接触件，这可改进用于支持存储器装置中的多裸片堆叠的能力。
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公开(公告)号：CN114846549B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202080088977.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及基于帧的通信的时延偏移。存储器系统可包含基于帧时钟的帧周期使用帧进行通信的主机装置和存储器装置。所述存储器装置可从所述主机装置接收读取命令和写入命令，且确定对应于所接收命令的读取时延和写入时延。所述存储器装置还可确定要添加到所述写入时延以避免分别与所述读取命令和所述写入命令相关联的读取数据与写入数据之间的总线争用的额外偏移时延。所述偏移时延可对应于整数数量的时钟周期，其可小于所述帧周期。
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公开(公告)号：CN109698004A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811011108.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本申请案涉及用于可重新配置的存储器架构和电子存储器设备的方法。本申请案是针对可重新配置的存储器架构。本文中描述用于可重新配置的存储器装置的技术，所述存储器装置可基于用来耦合所述存储器装置与主机装置的插入物的类型而配置。所述可重新配置的存储器装置可包含多个组件以获得多个配置。可基于所述存储器装置中使用的插入物的类型启动/撤销启动可重新配置的存储器裸片的各种组件。举例来说，如果使用第一类型的插入物(例如，高密度插入物)，则数据通道可为八个数据引脚宽。相比之下，如果使用第二类型的插入物(例如，基于有机物的插入物)，则所述数据通道可为四个数据引脚宽。由此，可重新配置的存储器装置可包含在一些配置中不活动的数据引脚和相关驱动器。
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公开(公告)号：CN119790461A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202480001483.9
申请日：2024-07-05
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/406 , G11C5/04 , G11C11/4096
Abstract: 描述用于堆叠式存储器架构的行锤缓解的方法、系统及装置。例如存储器系统的半导体系统可跨所述半导体系统的电路系统分布行锤缓解操作。所述半导体系统的第一裸片的第一接口块可与所述半导体系统的第二裸片的第二接口块交换信令以执行行锤缓解操作。所述第二裸片可实施计数器以跟踪与所述第二裸片的存储器胞元的相应行相关联的存取操作的数量。所述第二接口块可基于计数器的值而向所述第一接口块传输警报信令，且所述第一接口块可评估所述警报信令且向所述第二接口块传输刷新信令以执行一或多个刷新操作。
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公开(公告)号：CN116504747A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310051115.2
申请日：2023-01-19
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 本公开涉及信号路由结构及包含其的半导体装置组合件。半导体装置组合件，其包含：第一半导体装置，其具有具有第一平均节距的第一多个电触点；第二半导体装置，其位于所述第一半导体装置上方且具有具有第二平均节距的第二多个电触点；及信号路由结构，其介于所述第一与第二半导体装置之间，且包含：第一多个导电结构，每一者与所述第一多个电触点中的一者接触；第二多个导电结构，每一者与所述第二多个电触点中的一者接触，及平行导电线图案，其安置在所述第一与第二多个导电结构之间。所述平行导电线图案具有比所述第一及第二平均节距小的第三平均节距，且来自所述第一及第二多个导电结构的数对导电结构由所述平行导电线中的不同者电耦合。
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