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公开(公告)号:CN112447248A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010870091.X
申请日:2020-08-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 在本文中公开了在加电时具有自动后台预处理的存储器装置和系统以及相关联方法。在一个实施例中,存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列和被配置成存储预处理数据的熔丝阵列。所述预处理数据可以标识所述存储器阵列的一部分,指定预定的预处理状态或其组合。当所述存储器装置通电时,所述存储器装置可以被配置成在执行访问命令之前自动地从所述熔丝阵列检索所述预处理数据和/或将所述存储器阵列的所述部分中的存储器单元写入到所述预定的预处理状态。
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公开(公告)号:CN112447248B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202010870091.X
申请日:2020-08-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 在本文中公开了在加电时具有自动后台预处理的存储器装置和系统以及相关联方法。在一个实施例中,存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列和被配置成存储预处理数据的熔丝阵列。所述预处理数据可以标识所述存储器阵列的一部分,指定预定的预处理状态或其组合。当所述存储器装置通电时,所述存储器装置可以被配置成在执行访问命令之前自动地从所述熔丝阵列检索所述预处理数据和/或将所述存储器阵列的所述部分中的存储器单元写入到所述预定的预处理状态。
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公开(公告)号:CN115516467A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202180028215.2
申请日:2021-04-13
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开的实施例是针对用于包含在不与云计算系统通信的情况下执行至少一些功能的边缘装置的物联网(IoT)系统的设备、系统、方法。边缘装置可包含具有存储器上模式匹配能力的存储器。所述边缘装置可对所述边缘装置或与所述边缘装置通信的传感器收集的数据执行模式匹配操作。基于所述模式匹配操作的结果,所述边缘装置可执行各种功能,例如将数据发射给所述云计算系统,激活警报器和/或改变发射数据的频率。
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公开(公告)号:CN114937657A
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210531910.7
申请日:2018-06-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor: A·D·韦切斯
IPC: H01L25/065 , H01L23/64 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
Abstract: 本发明涉及用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统。本文中揭示包含堆叠式半导体裸片的半导体裸片组合件以及相关联的系统及方法,所述堆叠式半导体裸片具有形成于所述堆叠中的邻近对的半导体裸片之间的平行板电容器。在一个实施例中,半导体裸片组合件包含第一半导体裸片及堆叠于所述第一半导体裸片上方的第二半导体裸片。所述第一半导体裸片包含上面形成有第一电容器板的上部表面,且所述第二半导体裸片包含面向所述第一半导体裸片的所述上部表面且上面形成有第二电容器板的下部表面。介电材料至少部分地形成于所述第一与第二电容器板之间。所述第一电容器板、第二电容器板及介电材料一起形成电容器,所述电容器在所述堆叠内局部地存储电荷且可由所述第一及/或第二半导体裸片存取。
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公开(公告)号:CN110998837A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201880054639.4
申请日:2018-06-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor: A·D·韦切斯
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/00
Abstract: 本文中揭示包含堆叠式半导体裸片的半导体裸片组合件以及相关联的系统及方法,所述堆叠式半导体裸片具有形成于所述堆叠中的邻近对的半导体裸片之间的平行板电容器。在一个实施例中,半导体裸片组合件包含第一半导体裸片及堆叠于所述第一半导体裸片上方的第二半导体裸片。所述第一半导体裸片包含上面形成有第一电容器板的上部表面,且所述第二半导体裸片包含面向所述第一半导体裸片的所述上部表面且上面形成有第二电容器板的下部表面。介电材料至少部分地形成于所述第一与第二电容器板之间。所述第一电容器板、第二电容器板及介电材料一起形成电容器,所述电容器在所述堆叠内局部地存储电荷且可由所述第一及/或第二半导体裸片存取。
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公开(公告)号:CN111312310B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN201911253176.7
申请日:2019-12-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/408 , G11C11/4074
Abstract: 本申请涉及相位电荷共享。描述用于相位电荷共享的方法、系统和装置。在一些存储器系统或存储器装置中,一或多个解码器可用于偏置存储器裸片的存取线。所述解码器可经由短接装置在所述解码器的第一导电线与所述解码器的第二导电线之间传送电压或电流。传送所述电压或电流可作为操作(例如,激活或预充电操作)的一部分或与所述操作结合执行以存取所述存储器裸片的一或多个存储器单元。在一些实例中,所述解码器可经由短接装置在解码器的相关联于第一刷新活动的第一导电线与所述解码器的相关联于第二刷新活动的第二导电线之间传送电压或电流。
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公开(公告)号:CN115552525A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202180017132.3
申请日:2021-02-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/4076 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 本公开的实施例涉及能够在存储器装置内执行型式匹配操作的设备、系统、方法和存储器。可基于存储于寄存器中的型式对存储于所述存储器内的数据执行所述型式匹配操作。所述型式匹配操作的结果可由所述存储器提供。在所述型式匹配操作期间,可不从所述存储器输出被执行所述型式匹配操作的所述数据。
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公开(公告)号:CN114823551A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210019536.2
申请日:2022-01-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及用于保护半导体装置的容器及相关方法。用于在其中支撑一或多个半导体装置的容器可包含经定位以至少部分地包围半导体装置的壁。所述壁中的至少一个可包含辐射屏蔽材料。支撑结构可经塑形、定位及配置以在所述壁内支撑所述半导体装置。
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公开(公告)号:CN111383676A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201911261667.6
申请日:2019-12-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器装置、存储器系统及相关方法。本文揭示具有裸片上数据传送能力的存储器装置及系统以及相关联方法。在一个实施例中,一种存储器装置包含存储器单元阵列及可操作地将所述阵列连接到所述装置的数据垫的多个输入/输出线。在一些实施例中,所述存储器装置可进一步包含全局高速缓存及/或本地高速缓存。所述存储器装置可经配置以将存储在所述阵列中的第一位置处的数据内部地传送到所述阵列中的第二位置,而不从所述存储器装置输出所述数据。为传送所述数据,所述存储器装置可将一行存储器单元上的数据复制到另一行存储器单元,使用所述输入/输出线的数据读取/写入线将数据从所述第一位置直接写入所述第二位置,及/或将所述数据读取到所述全局高速缓存及/或所述本地高速缓存以及从所述全局高速缓存及/或所述本地高速缓存读出所述数据。
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公开(公告)号:CN111383676B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN201911261667.6
申请日:2019-12-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器装置、存储器系统及相关方法。本文揭示具有裸片上数据传送能力的存储器装置及系统以及相关联方法。在一个实施例中,一种存储器装置包含存储器单元阵列及可操作地将所述阵列连接到所述装置的数据垫的多个输入/输出线。在一些实施例中,所述存储器装置可进一步包含全局高速缓存及/或本地高速缓存。所述存储器装置可经配置以将存储在所述阵列中的第一位置处的数据内部地传送到所述阵列中的第二位置,而不从所述存储器装置输出所述数据。为传送所述数据,所述存储器装置可将一行存储器单元上的数据复制到另一行存储器单元,使用所述输入/输出线的数据读取/写入线将数据从所述第一位置直接写入所述第二位置,及/或将所述数据读取到所述全局高速缓存及/或所述本地高速缓存以及从所述全局高速缓存及/或所述本地高速缓存读出所述数据。
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