Patent search ap:("美光科技公司") AND inv:"陆宁" Page 1

1.

发明公开
竖直晶体管审中-实审

公开(公告)号：CN114628519A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111029910.9

申请日：2021-09-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 李宜芳 , 刘鸿威 , 陆宁 , A·A·卡恩德卡尔 , J·B·赫尔 , S·博尔萨里

IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/04 , B82Y30/00 , B82Y10/00

Abstract: 一种竖直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区与所述沟道区具有顶部界面，且所述底部源极/漏极区与所述沟道区具有底部界面。所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。

Patent Agency Ranking