-
公开(公告)号：CN104591260B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410698875.3
申请日：2014-09-26
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC分类号： C23C16/306 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/78 , C03C2218/152 , C09D1/00 , C23C16/01 , C23C16/305 , C23C16/44 , C23C16/46 , G02B1/10
摘要： 硫化锌硬度的增加。提供了一种组合物，所述组合物包含硫化锌和0.5摩尔％至10摩尔％选自硒、镓、铝和硅的一种或多种掺杂物。
-
公开(公告)号：CN104591260A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410698875.3
申请日：2014-09-26
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC分类号： C23C16/306 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/78 , C03C2218/152 , C09D1/00 , C23C16/01 , C23C16/305 , C23C16/44 , C23C16/46 , G02B1/10
摘要： 硫化锌硬度的增加。提供了一种组合物，所述组合物包含硫化锌和0.5摩尔％至10摩尔％选自硒、镓、铝和硅的一种或多种掺杂物。
-
公开(公告)号：CN101090084B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710109640.6
申请日：2007-06-04
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , F16B19/00
CPC分类号： H01L21/67303
摘要： 一种晶片固定设备，该设备包括多个棒，这些棒在相对的端部通过接头与端板相连，所述接头包括具有内圆角半径的凸缘。所述连接设备的组成部件的接头提供了稳定的晶片固定设备，该设备可以用来进行人工操作，还可耐受半导体晶片处理室的严酷的处理条件。
-
公开(公告)号：CN103643299A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310698008.5
申请日：2006-12-04
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： C30B33/00
CPC分类号： C30B31/10 , C23C16/4404 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B33/005 , C30B33/10 , C30B35/00
摘要： 本发明涉及半导体处理，具体揭示了一种用来提供能减少颗粒生成的碳化硅的方法，该方法包括：a)提供碳化硅制品;b)通过选自熔融碱或熔融无机酸蚀刻、激光烧蚀、表面喷砂中的一种方法或它们的组合对所述碳化硅制品的一个或多个表面进行改性，使得所述制品的一个或多个表面的Ra小于或等于0.5微米且Rz（din）小于或等于5微米，以及在晶片处理过程中，该制品在半导体晶片上产生的颗粒数等于或少于160个/分米2。所述碳化硅制品可以用作处理半导体晶片的设备中的部件。通过减少半导体处理过程中生成的颗粒，减少了半导体晶片上的污染，从而提高了半导体晶片的生产率。
-
公开(公告)号：CN101090084A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710109640.6
申请日：2007-06-04
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , F16B19/00
CPC分类号： H01L21/67303
摘要： 一种晶片固定设备，该设备包括多个棒，这些棒在相对的端部通过接头与端板相连，所述接头包括具有内圆角半径的凸缘。所述连接设备的组成部件的接头提供了稳定的晶片固定设备，该设备可以用来进行人工操作，还可耐受半导体晶片处理室的严酷的处理条件。
-
公开(公告)号：CN1983517A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166726.8
申请日：2006-12-04
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , C04B35/565 , C04B41/80 , C04B41/91 , C30B31/00 , C30B31/10 , C30B31/14
CPC分类号： C30B31/10 , C23C16/4404 , C23C16/4581 , C30B29/36 , C30B33/005 , C30B33/10 , C30B35/00
摘要： 揭示了一种用来提供能减少颗粒生成的碳化硅的方法。所述碳化硅制品可以用作处理半导体晶片的设备中的部件。通过减少半导体处理过程中生成的颗粒，减少了半导体晶片上的污染，从而提高了半导体晶片的生产率。
-
公开(公告)号：CN101429048A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810081741.1
申请日：2008-03-06
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , AGC电子材料公司
CPC分类号： C04B37/006 , C04B37/005 , C04B2237/083 , C04B2237/16 , C04B2237/365 , C04B2237/80 , C04B2237/88 , C23C16/325 , C30B35/00 , H01L21/67306 , Y10T428/24174 , Y10T428/26 , Y10T428/292
摘要： 公开了多种化学气相沉积的碳化硅制品及其制造方法。所述化学气相沉积之碳化硅制品系由多个用烧结陶瓷接头连结在一起的部件构成。所述接头加强而且可保持在制品接合处的公差。所述制品可用于半导体加工。
-
公开(公告)号：CN101429048B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200810081741.1
申请日：2008-03-06
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司 , AGC电子材料公司
CPC分类号： C04B37/006 , C04B37/005 , C04B2237/083 , C04B2237/16 , C04B2237/365 , C04B2237/80 , C04B2237/88 , C23C16/325 , C30B35/00 , H01L21/67306 , Y10T428/24174 , Y10T428/26 , Y10T428/292
摘要： 本发明公开了多种化学气相沉积的碳化硅制品及其制造方法。所述化学气相沉积之碳化硅制品系由多个用烧结陶瓷接头连结在一起的部件构成。所述接头加强而且可保持在制品接合处的公差。所述制品可用于半导体加工。
-
公开(公告)号：CN1953154A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610131768.8
申请日：2006-10-08
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
发明人： J·S·戈尔拉 , M·A·皮克林 , J·T·费伊 , M·S·斯特里克兰德
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/00 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C16/345 , C23C16/4581 , C30B25/12 , H01L21/67306 , H01L21/67309 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要： 揭示了半导体处理方法和设备。所述半导体设备和处理方法提供缺陷减少的半导体晶片。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.042 秒)
