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公开(公告)号：CN104744708B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410857213.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C08G77/442 , B29C59/14 , B29C71/0009 , B29C71/02 , B29C2059/023 , B29C2071/022 , B81C1/00 , G03F7/0002
Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚物，该嵌段共聚物包含衍生自乙烯基芳族单体的第一嵌段，其中所述乙烯基芳族单体在芳环上具有至少一个烷基取代基；衍生自硅氧烷单体的第二嵌段；其中测量所述第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的χ参数在200℃温度下为0.03‑0.18。本发明公开了一种方法，所述方法包括聚合乙烯基芳族单体以形成第一嵌段；以及在所述第一嵌段上聚合第二嵌段以形成嵌段共聚物；其中所述第二嵌段通过聚合硅氧烷单体得到，所述嵌段共聚物的χ参数在温度为200℃条件下为0.03‑0.18；所述χ参数是所述共聚物的第一嵌段和第二嵌段之间相互作用的度量。
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公开(公告)号：CN103304950A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310209163.6
申请日：2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08L53/00 , C08F293/00 , C08F220/14 , C08F220/10 , C08J5/18
CPC classification number: C08L53/00 , B05D3/02 , B82Y40/00 , C08F120/14 , C08F297/026 , C08L2205/025 , C09D153/00 , C08F220/14 , C08F2230/085 , C08L33/12
Abstract: 混合的嵌段共聚物组合物。提供一种嵌段共聚物组合物，所述嵌段共聚物组合物包括：二嵌段共聚物混合物，所述二嵌段共聚物混合物包括：第一聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB1”)，其具有10-1000kg/mol的DB1数均分子量，MN-DB1；1-3的DB1多分散性，PDDB1；和，第二聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB2”)，其具有1-1000kg/mol的DB2数均分子量，MN-DB2；1-3的DB2多分散性，PDDB2。
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公开(公告)号：CN103304725A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310139586.5
申请日：2013-02-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08F220/14 , C08F220/22 , C09D133/12 , C09D133/16 , B82Y40/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B44C1/227 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , Y10T428/24802
Abstract: 自组装结构、其制备方法以及包括其的制品。本申请公开了一种聚合物组合物，其包括由式(1)所示单体或具有式(2)所示结构的单体与具有至少一个氟原子取代基和具有式(3)所示结构的单体反应得到的无规共聚物。
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公开(公告)号：CN104744947A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410857215.5
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08L83/10 , C08G77/442
Abstract: 本文公开了一种包含刷聚合物和嵌段共聚物的组合物，其中所述刷聚合物包括与其上放置该刷聚合物的基材反应的反应活性部分，所述嵌段共聚物包括彼此共价结合的第一嵌段和第二嵌段，所述第一嵌段包括第一聚合物，第二嵌段包括第二聚合物，所述第一聚合物包含小于或等于10原子％的聚硅氧烷，所述第二聚合物包含至少15原子％的聚硅氧烷，所述刷聚合物的化学组成不同于第一聚合物和第二聚合物，所述第一聚合物的化学组成不同于所述第二聚合物，所述嵌段共聚物置于所述刷聚合物上。
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公开(公告)号：CN103319931A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310201760.4
申请日：2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C09D7/00 , H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08G77/442 , C09D151/08 , C09D183/10 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138
Abstract: 热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103980649B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410043817.7
申请日：2014-01-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , C08F297/026 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（丙烯酸酯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1?1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1?2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
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公开(公告)号：CN103304950B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310209163.6
申请日：2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08L53/00 , C08F293/00 , C08F220/14 , C08F220/10 , C08J5/18
CPC classification number: C08L53/00 , B05D3/02 , B82Y40/00 , C08F120/14 , C08F297/026 , C08L2205/025 , C09D153/00 , C08F220/14 , C08F2230/085 , C08L33/12
Abstract: 混合的嵌段共聚物组合物。提供一种嵌段共聚物组合物，所述嵌段共聚物组合物包括：二嵌段共聚物混合物，所述二嵌段共聚物混合物包括：第一聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB1”)，其具有10-1000kg/mol的DB1数均分子量，MN-DB1；1-3的DB1多分散性，PDDB1；和，第二聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB2”)，其具有1-1000kg/mol的DB2数均分子量，MN-DB2；1-3的DB2多分散性，PDDB2。
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公开(公告)号：CN103319931B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310201760.4
申请日：2013-02-08
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C09D7/00 , H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31058 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08G77/442 , C09D151/08 , C09D183/10 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138
Abstract: 热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。
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公开(公告)号：CN103571253B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310435005.2
申请日：2013-07-12
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C09D7/00 , H01L21/033 , B81C1/00
CPC classification number: B05D3/0254 , B44C1/227 , B81C1/00531 , B82Y40/00 , C08G77/442 , C09D183/00 , C09D183/10 , C23C18/00 , C23C18/04 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1275 , C23C18/1283 , Y10S438/947 , C08K5/05
Abstract: 高温热退火方法。一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg/mol；和，抗氧化剂；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在275到350℃和气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。
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公开(公告)号：CN103980648A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410043788.4
申请日：2014-01-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08F297/026 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1-1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1-2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
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