Invention Grant
- Patent Title: 高温热退火方法
- Patent Title (English): High temperature thermal annealing process
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Application No.: CN201310435005.2Application Date: 2013-07-12
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Publication No.: CN103571253BPublication Date: 2015-06-03
- Inventor: 顾歆宇 , 张诗玮 , P·赫斯塔德 , J·温霍尔德 , P·特雷福纳斯
- Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
- Applicant Address: 美国马萨诸塞州
- Assignee: 罗门哈斯电子材料有限公司,陶氏环球技术有限公司
- Current Assignee: 罗门哈斯电子材料有限公司,陶氏环球技术有限公司
- Current Assignee Address: 美国马萨诸塞州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 陈哲锋
- Priority: 13/547,246 2012.07.12 US
- Main IPC: C09D7/00
- IPC: C09D7/00 ; H01L21/033 ; B81C1/00

Abstract:
高温热退火方法。一种用于加工基材的方法,所述方法包括:提供具有表面的基材;提供共聚物组合物,所述共聚物组合物包括:聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分,其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg/mol;和,抗氧化剂;施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面;任选地,烘焙上述薄膜;通过在275到350℃和气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜;和,处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。
Public/Granted literature
- CN103571253A 高温热退火方法 Public/Granted day:2014-02-12
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IPC分类: