半导体器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108074902A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711116668.2

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置,且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域,漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115380375A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202180024392.3

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 半导体装置(1)包括具有主面(10a)的基板(10)、半导体元件(40)、连接焊盘(21、31)、镀敷层(71、72)、电线(50、60)、以及密封树脂(80)。半导体元件(40)装配于主面(10a),且具有主面电极(41、43)。连接焊盘(21、31)由Cu构成,相对于基板(10)分离配置,且具有连接面(34)。镀敷层(71、72)由Ni构成,覆盖连接面(34)的一部分。电线(50、60)由Al构成,接合于主面电极(41、43)和镀敷层(71、72)。密封树脂(80)将半导体元件(40)、连接焊盘(21、31)、镀敷层(71、72)以及电线(50、60)密封。

    半导体器件和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN110520987A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201880022238.0

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 一种半导体器件,其包括:半导体元件;密封所述半导体元件的封装件;和金属部件,其与所述半导体元件电连接,并具有从所述封装件的端面突出的突出部,所述突出部包括:沿着所述封装件的所述端面的横向边缘;沿着该端面的法线方向的纵向边缘;和配置在所述突出部的角部且由与所述横向边缘和所述纵向边缘相连续的边部构成的角边缘,所述角边缘包括:第一边部,其与所述横向边缘大致垂直地交叉,且向接近所述封装件的所述端面的方向延伸;和第二边部,其具有与所述第一边部大致垂直地交叉的一端和与所述纵向边缘大致垂直地交叉的另一端。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118318301A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202280079006.5

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 半导体装置具备半导体元件、第一引线以及封固树脂。所述第一引线包括芯片焊盘部以及第一端子部,所述芯片焊盘部具有朝向厚度方向一侧且搭载有所述半导体元件的第一引线主面以及朝向所述厚度方向另一侧的第一引线背面。所述封固树脂具有朝向所述厚度方向一侧的第一树脂面、朝向所述厚度方向另一侧的第二树脂面以及朝向与所述厚度方向正交的第一方向一侧的第三树脂面。所述封固树脂覆盖所述半导体元件以及所述芯片焊盘部的一部分。所述第一引线背面具有从所述第二树脂面露出且沿所述厚度方向观察时位于比所述第三树脂面靠所述第一方向一侧的位置的部分。

    半导体装置、以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117121191A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202280028084.2

    申请日:2022-04-04

    Inventor: 齐藤光俊

    Abstract: 半导体装置具备第一引线、第二引线、第三引线、半导体元件、封固树脂以及包覆层。上述封固树脂具有底面以及外侧面。在上述封固树脂的上述底面形成具有内侧面的凹部。上述第二引线具有从上述底面露出的背面和从上述外侧面露出的侧面。上述包覆层含有金属元素,覆盖上述背面以及上述侧面。上述凹部位于上述第一引线与第二引线之间。上述第二引线、上述第一引线以及上述第三引线的至少任一个具有从上述凹部的上述内侧面露出的内方端面。

    半导体器件和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN110520987B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201880022238.0

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 一种半导体器件,其包括:半导体元件;密封所述半导体元件的封装件;和金属部件,其与所述半导体元件电连接,并具有从所述封装件的端面突出的突出部,所述突出部包括:沿着所述封装件的所述端面的横向边缘;沿着该端面的法线方向的纵向边缘;和配置在所述突出部的角部且由与所述横向边缘和所述纵向边缘相连续的边部构成的角边缘,所述角边缘包括:第一边部,其与所述横向边缘大致垂直地交叉,且向接近所述封装件的所述端面的方向延伸;和第二边部,其具有与所述第一边部大致垂直地交叉的一端和与所述纵向边缘大致垂直地交叉的另一端。

    半导体器件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108074902B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201711116668.2

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件包括引线框架、晶体管、和密封树脂。引线框架具有漏极框架、源极框架、和栅极框架。漏极框架具有多个漏极框架指形部。源极框架具有多个源极框架指形部。漏极框架指形部和源极框架指形部在第1方向上交替地配置,且具有从第1方向看彼此重叠的部分。从第1方向看在漏极框架指形部和源极框架指形部彼此重叠的区域,漏极框架指形部和源极框架指形部的至少一者不从密封树脂的背面露出。

    半导体装置
    8.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117678064A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202280048302.9

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 提供一种半导体装置,其能够抑制内部背面中密封树脂的剥离。半导体装置(A10)具有:半导体元件(6);引线(1),其搭载了半导体元件(6);密封树脂(8),其覆盖引线(1)的一部分以及半导体元件(6)。引线(1)具有:主面(11),其接合了半导体元件(6);背面(12),其在第一引线(1)的厚度方向上与主面(11)朝向相反侧,且从密封树脂(8)露出;内部背面(13),其在厚度方向上朝向与背面(12)相同的一侧,且被密封树脂(8)覆盖。内部背面(13)具有凹凸部(19)。

    半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111933616B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202010396333.6

    申请日:2020-05-12

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,对多个半导体元件和控制元件进行一封装化,实现寄生电感、寄生电阻的降低。半导体装置具备:在元件主面(1a)配置有漏电极(11)、源电极(12)及门电极漏电极(21)、源电极(22)及门电极(23)的半导体元件(2);与门电极(13)及门电极(23)导通的控制元件;包括互相分离的多个引线的引线框。多个引线包括搭载半导体元件(1)的引线(4A)、搭载半导体元件(2)的引线(4B)及搭载控制元件的引线(4C),引线(4A)和引线(4B)在x方向观察互相重合,引线(4C)在y方向观察与引线(4A)以及引线(4B)双方重合。(13)的半导体元件(1);在元件主面(2a)配置有

    半导体装置的制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号:CN116724395A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202180086009.7

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 半导体装置的制造方法具备第一准备工序、第二准备工序、搭载工序、第三准备工序、配置工序以及固化工序。第一准备工序准备包含岛状部的第一引线框。第二准备工序准备具有元件主面及元件背面、以及第一电极及第二电极的半导体元件。搭载工序以成为使第一导电性糊料介于元件背面与岛状部之间的状态的方式,将半导体元件搭载于岛状部。第三准备工序准备包含第一部、第二部、框架部、第一连结部以及第二连结部的第二引线框。配置工序以成为使第二导电性糊料介于第一部与第一电极之间、而且使第三导电性糊料介于第二部与第二电极之间的状态的方式,配置第二引线框。固化工序使第一导电性糊料、第二导电性糊料以及第三导电性糊料固化。

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