公开(公告)号：CN103487197A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310225259.1

申请日：2013-06-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U.格兰茨 ,  G.厄勒 ,  S.亨内克 ,  G.弗利克

IPC: G01L9/00 ,  C04B35/195 ,  C04B35/16 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/195 ,  C04B35/481 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  G01L3/26 ,  G01L19/147

Abstract: 本发明涉及一种用于制造传感器载体的方法，具有下面的方法步骤：提供粉末混合物，该粉末混合物按预定的混合比例具有ZrO2、SiO2和堇青石；将粉末混合物研磨和/或均匀化为使得粉末混合物具有10μm的最大粒度；由该粉末混合物成型生坯；将导电结构施加到生坯上；将生坯反应烧结成由硅酸锆-堇青石-陶瓷制成的传感器载体，其中所述导电结构烧结成气密的金属组织。此外，本发明还涉及传感器载体和具有本发明传感器载体的传感器。

公开(公告)号：CN104995775A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480010164.0

申请日：2014-02-24

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H.格鲁恩 ,  U.格兰茨 ,  G.厄勒 ,  N.莫赖拉 ,  M.西贝尔特

IPC: H01M8/00 ,  H01M8/02

CPC classification number: H01M8/004 ,  H01M8/0252 ,  H01M8/0271 ,  H01M8/1213 ,  H01M2008/1293

Abstract: 本发明涉及一种用于制造管状固体氧化物单电池（10）特别是燃料单电池的方法。为了特别是以较少的过程步骤并以较小的废品率制造具有位于内部的电极组的管状固体氧化物单电池例如固体氧化物燃料单电池，在方法步骤a）中提供一种衬底（1），该衬底（1）由用于形成特别是惰性的透气多孔的陶瓷材料的组件构成，或者由可无灰地烧掉的材料构成。在方法步骤b）中将电极组（11）敷设到衬底上。在方法步骤c）中把设有电极组（11）的衬底（1）装入到注塑模具的腔穴中，从而电极组（11）限定成空心柱式的空腔。在方法步骤d）中将注塑组件（12）喷注到空心柱式的空腔中。然后在方法步骤e）中烧结注塑体（11、12），其中，使得用于形成透气多孔的陶瓷材料的组件转变为透气多孔的陶瓷材料，或者其中，把可无灰地烧掉的材料烧掉。本发明还涉及一种管状固体氧化物单电池特别是固体氧化物燃料单电池及其应用和相应设计的能量系统。

公开(公告)号：CN103329261A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280007300.1

申请日：2012-01-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U.格兰茨 ,  S.亨内克 ,  A.马丁

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  C04B35/195

CPC classification number: H05K1/111 ,  C03C14/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/9607 ,  F01N2560/02 ,  F01N2560/20 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子构件,其用于温度范围≥250℃、特别是≥400℃的高温和包含陶瓷载体（12）和半导体元件（16），其中所述陶瓷载体（12）包含陶瓷基材，该陶瓷基材具有碱金属化合物的含量为≤0.5%、特别是≤0.05%，并且其中所述陶瓷基材选自包含氧化铝、钙长石、热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料和玻璃的陶瓷基材，包含氧化铝、钡长石、热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料和玻璃的陶瓷基材，以及包含二氧化硅含量在＞50mol%范围的碱土金属硅酸盐玻璃、氧化硼以及热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料的陶瓷基材。这种构件也在高温下阻止依赖于温度的损坏并在直至500℃的温度具有恒定的性能，例如电绝缘性能。