用于构造空腔的方法以及具有空腔的构件

    公开(公告)号:CN107074529B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201580032809.5

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明涉及在硅衬底内构造空腔的方法,其中,硅衬底的表面相对于第一平面具有倾斜角,第一平面为硅衬底的{111}平面,在硅衬底的表面上布置蚀刻掩模。蚀刻掩模具有伸进掩模开口内的第一前置结构和第一蚀刻开端区域。掩模开口在第一蚀刻开端区域外的其他棱边布置为平行于硅衬底的{111}平面。所述方法包括在确定的蚀刻持续时间内各向异性地蚀刻硅衬底的步骤。朝向硅衬底的 方向的蚀刻速率小于朝向其他方向的蚀刻速率,第一前置结构从第一蚀刻开端区域出发朝向第一侧蚀方向侧蚀。蚀刻持续时间这样确定:通过各向异性蚀刻在硅衬底内构造空腔,经过该蚀刻持续时间之后,硅衬底的第一平面露出并构成空腔的底面。

    用于结构化由两个半导体层组成的层结构的方法及微机械部件

    公开(公告)号:CN104843634B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201510079465.5

    申请日:2015-02-13

    Abstract: 本发明涉及一种用于通过以下方式结构化由两个半导体层与位于两个半导体层之间的绝缘层和/或蚀刻停止层组成的层结构的方法:在两个半导体层中的第一半导体层的第一侧上构造第一蚀刻掩膜;实施从第一外侧出发的用于结构化第一半导体层的第一蚀刻步骤,在两个半导体层中的第二半导体层的第二侧上构造第二蚀刻掩膜;实施从第二外侧出发的用于结构化第二半导体层的第二蚀刻步骤,其中,在实施第一蚀刻步骤之后并且在实施第二蚀刻步骤之前,在至少一个在第一蚀刻步骤中蚀刻的第一沟槽的至少一个沟槽壁上沉积至少一种蚀刻保护材料。本发明同样涉及一种用于微机械部件的制造方法。此外,本发明涉及一种微机械部件。

Patent Agency Ranking