用于掩蔽含氧化硅的表面的方法

    公开(公告)号:CN105074871B

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201480020436.5

    申请日:2014-03-18

    Inventor: F.莱尔默

    Abstract: 本发明涉及用于掩蔽表面的方法,特别是包含氧化硅、铝或硅的表面,所述方法包括以下方法步骤:a)提供具有待掩蔽的表面的基材,特别是具有包含氧化硅、铝或硅的表面的基材;和b)通过在所述表面上局部选择性地形成胶态氧化硅,产生确定的掩蔽图型。相对于多数蚀刻介质,例如特别相对于氢氟酸,上述方法使得可按简单且成本有利的方式实现极其稳定的掩蔽,从而通过例如蚀刻过程实现最高准确度的和确定的结构。本发明进一步涉及电子组件,以及涉及胶态氧化硅用于局部选择性地掩蔽待处理的表面的用途。

    用于操作霉菌检测装置的系统和方法

    公开(公告)号:CN111378571A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911426216.3

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 用于检测霉菌的系统包括壳体,该壳体限定腔和通过表面的开口。系统包括用于选择性地覆盖开口的可移动格栅。系统包括被处理以促进霉菌生长的基质。系统包括用于使基质移动以将先前未暴露的部分移动到腔中的机构。系统包括热控制系统,该热控制系统用于维持在腔中的预定环境条件。系统包括配置为检测在腔中的霉菌生长的传感器。系统包括霉菌抑制器,该霉菌抑制器在被激活时杀死在腔中的霉菌。系统包括控制器,该控制器用于协调部件的操作,以检测在环境中的霉菌生长。

    用于各向异性蚀刻衬底的装置和用于运行用于各向异性蚀刻衬底的装置的方法

    公开(公告)号:CN106575616B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201580043466.2

    申请日:2015-07-06

    Inventor: F.莱尔默

    Abstract: 本发明提供了一种用于蚀刻衬底的装置以及一种用于运行根据本发明的装置的方法。该装置包括:第一反应腔,第一气体能够导入到第一反应腔中;第二反应腔,第二气体能够导入到第二反应腔中;线圈装置,借助于线圈装置能够产生电磁交变场;其中,借助于第一气体的加载能够利用电磁交变场产生至少一种第一反应物质,并且其中,借助于第二气体的加载能够利用电磁交变场产生至少一种第二反应物质;分离装置,借助于分离装置来中断第一反应腔与第二反应腔之间的直接气体交换;用于接收各向异性待蚀刻的衬底的蚀刻腔;以及混合装置,混合装置以如下方式布置和构造,即,这些反应物质进入到混合装置中、彼此混合并彼此混合地在蚀刻腔中为了各向异性蚀刻而作用到衬底上。

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