内插器衬底、MEMS设备以及相应的制造方法

    公开(公告)号:CN111629991B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN201880086088.X

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种内插器衬底、一种MEMS设备以及一种相应的制造方法。内插器衬底(1)配备有前侧(VS)和后侧(RS);从所述后侧(RS)出发的腔(K1a;K1b),该腔延伸直至第一深度(t1);贯通开口(V);和布置在所述腔(K1a;K1b)和所述贯通开口(V)之间的沉降区域(ST1;ST2),所述沉降区域从所述后侧(RS)出发相对于所述后侧(RS)沉降直至第二深度(t2);其中,所述第一深度(t1)大于所述第二深度(t2)。

    内插器衬底、MEMS设备以及相应的制造方法

    公开(公告)号:CN111629991A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201880086088.X

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种内插器衬底、一种MEMS设备以及一种相应的制造方法。内插器衬底(1)配备有前侧(VS)和后侧(RS);从所述后侧(RS)出发的腔(K1a;K1b),该腔延伸直至第一深度(t1);贯通开口(V);和布置在所述腔(K1a;K1b)和所述贯通开口(V)之间的沉降区域(ST1;ST2),所述沉降区域从所述后侧(RS)出发相对于所述后侧(RS)沉降直至第二深度(t2);其中,所述第一深度(t1)大于所述第二深度(t2)。

    用于调设在半导体设备的至少一个区域中的磁化的方法

    公开(公告)号:CN118160055A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280072145.5

    申请日:2022-10-12

    Abstract: 本发明涉及一种用于通过下述方式使半导体设备(12)的至少一个区域(10)磁化的方法:借助第一光束(14)至少将所述至少一个区域(10)的反铁磁层(10a)加热到至少所述反铁磁层(10a)的阈值温度,和至少在冷却所述至少一个区域(10)的先前至少被加热到所述阈值温度的反铁磁层(10a)期间,在在所述至少一个区域(10)的铁磁层(10b)中待引起的磁化的第一方向上施加第一外部磁场,其中,在借助所述第一光束(14)至少将所述至少一个区域(10)的反铁磁层(10a)加热到至少所述反铁磁层(10a)的阈值温度之前,在所述半导体设备(12)的包括所述至少一个区域(10)的至少第一子容积(12a)上和/或中布置至少一个吸收和/或抗反射层(16)。

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