公开(公告)号：CN100568523C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200610064707.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 坂口政幸 ,  金谷康弘 ,  山口利明 ,  久保田绅治 ,  高木一成 ,  汤本昭

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L23/02 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一种能够阻止金属线腐蚀和提高可靠性的显示单元。显示单元包括在驱动基板上具有结合区和终端区的驱动面板，并且密封面板通过其间的粘合层被结合至驱动面板的结合区。结合区包括电路部分、覆盖电路部分的涂层，和由多个显示装置组成的显示部分。多个金属线被电连接至结合区的电路部分并延伸至终端区。涂层在多个金属线间具有至少一个分离区。

公开(公告)号：CN101154669A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153197.2

申请日：2007-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森田泰彰 ,  盐谷朋弘 ,  久保田绅治 ,  安部薰

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜半导体装置及显示装置，通过对污染物质的阻断作用强且能够通过氢供给而对多晶硅膜进行缺陷修补的层间绝缘膜，而覆盖多晶硅膜，从而具有稳定的优良特性。该薄膜半导体装置具有由通过激光照射而实施结晶化退火处理的多晶硅膜构成的半导体薄膜(9)和覆盖半导体薄膜(9)的层间绝缘膜(11)，其中，层间绝缘膜(11)从半导体薄膜(9)侧按照成为氢供给部的含氢氮化硅膜(11－2)和成为对污染物质的阻断部的致密的膜质的阻断氮化硅膜(11－4)的顺序进行层积。

公开(公告)号：CN1992328A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064707.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 坂口政幸 ,  金谷康弘 ,  山口利明 ,  久保田绅治 ,  高木一成 ,  汤本昭

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L23/02 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一种能够阻止金属线腐蚀和提高可靠性的显示单元。显示单元包括在驱动基板上具有结合区和终端区的驱动面板，并且密封面板通过其间的粘合层被结合至驱动面板的结合区。结合区包括电路部分、覆盖电路部分的涂层，和由多个显示装置组成的显示部分。多个金属线被电连接至结合区的电路部分并延伸至终端区。涂层在多个金属线间具有至少一个分离区。

公开(公告)号：CN101326858A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046430.0

申请日：2006-12-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 今井利明 ,  安部薰 ,  久保田绅治 ,  森川慎一郎 ,  西村贞一郎

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50

Abstract: 提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板2上设置的并且通过保护膜4保护的有机电致发光器件3的显示装置1的特征在于，保护膜4由氮化硅膜4a、4b和4c构成，所述氮化硅膜4a、4b和4c是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜4c被设置在保护膜4的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜4c的低密度氮化硅膜4b被设置在高密度氮化硅膜4c下面。