公开(公告)号：CN101326858A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046430.0

申请日：2006-12-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 今井利明 ,  安部薰 ,  久保田绅治 ,  森川慎一郎 ,  西村贞一郎

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50

Abstract: 提供了一种能够通过保护膜来保护发光器件并且能够防止发光器件的性能下降从而维持良好的显示特性的显示装置，所述保护膜具有良好的密封特性以及侧壁阶梯覆盖。包括在基板2上设置的并且通过保护膜4保护的有机电致发光器件3的显示装置1的特征在于，保护膜4由氮化硅膜4a、4b和4c构成，所述氮化硅膜4a、4b和4c是通过使用氨气的化学气相沉积方法以层的方式形成的，高密度氮化硅膜4c被设置在保护膜4的表层中，并且密度低于高密度氮化硅膜4c的低密度氮化硅膜4b被设置在高密度氮化硅膜4c下面。

公开(公告)号：CN101527350B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910118337.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西村贞一郎 ,  安部薰 ,  浅木玲生 ,  三谷正博

IPC: H01L51/52 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315

Abstract: 公开了一种显示装置及电子设备。所述显示装置包括：具有用于使产生的光谐振的谐振结构的显示区；被形成用于覆盖所述显示区的保护膜；被形成在所述保护膜上的树脂层；以及通过所述树脂层附着的密封层，其中所述保护膜包括单个氮化硅层，并在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率。

公开(公告)号：CN101527350A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118337.1

申请日：2009-02-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 西村贞一郎 ,  安部薰 ,  浅木玲生 ,  三谷正博

IPC: H01L51/52 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06

CPC classification number: H01L51/5275 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315

Abstract: 公开了一种显示装置及电子设备。所述显示装置包括：具有用于使产生的光谐振的谐振结构的显示区；被形成用于覆盖所述显示区的保护膜；被形成在所述保护膜上的树脂层；以及通过所述树脂层附着的密封层，其中所述保护膜包括单个氮化硅层，并在450nm的波长时具有介于1.65与1.75之间的折射率。