电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1711645B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200380103349.8

    申请日:2003-11-05

    Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷,并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10),其中,多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触,而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。

    电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1711645A

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN200380103349.8

    申请日:2003-11-05

    Abstract: 一种微电子器件以及制造该器件的方法可以克服现有碳分子所构成的电子器件的缺陷,并具有优于现有器件的性能。绝缘栅极场效应晶体管包括多壁碳纳米管(10),其中,多壁碳纳米管(10)具有外部半导体碳纳米管层(1)以及部分被外部半导体碳纳米管层(1)所覆盖的内部金属化碳纳米管层(2)。金属源电极(3)和金属漏电极(5)与半导体碳纳米管层(1)的两端相接触,而金属栅极电极(4)与金属化碳纳米管层(2)相接触。在半导体碳纳米管层(1)和金属化碳纳米管层(2)之间的空间作为栅极绝缘层使用。包括外部半导体碳纳米管层(1)和内部金属化碳纳米管层(2)的两层选自多壁碳纳米管的碳纳米管层。这些层都处理成适用于用于作为多壁碳纳米管(10)使用的形式。

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