公开(公告)号：CN102386196B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110248341.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉原郁夫 ,  梅林拓 ,  高桥洋 ,  吉田博信

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L25/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，其中，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且其中所述第一布线部和所述第二布线部的分别暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。

公开(公告)号：CN102386196A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110248341.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉原郁夫 ,  梅林拓 ,  高桥洋 ,  吉田博信

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L25/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，其中，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且其中所述第一布线部和所述第二布线部的分别暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。

公开(公告)号：CN105633056B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201511009747.4

申请日：2011-08-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉原郁夫 ,  梅林拓 ,  高桥洋 ,  吉田博信

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中，一种电子装置包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层，其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合，并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部，并且其中，第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。

公开(公告)号：CN105633056A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511009747.4

申请日：2011-08-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉原郁夫 ,  梅林拓 ,  高桥洋 ,  吉田博信

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/00 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/4821

Abstract: 本发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中，一种电子装置包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层，其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合，并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部，并且其中，第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。