Invention Grant
CN105633056B 电子装置和半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 电子装置和半导体器件的制造方法
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Application No.: CN201511009747.4Application Date: 2011-08-26
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Publication No.: CN105633056BPublication Date: 2018-08-14
- Inventor: 吉原郁夫 , 梅林拓 , 高桥洋 , 吉田博信
- Applicant: 索尼公司
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 索尼公司
- Current Assignee: 索尼公司
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- Agent 曹正建; 陈桂香
- Priority: 2010-196639 2010.09.02 JP
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L27/146 ; H01L21/48

Abstract:
本发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中,一种电子装置包括:第一半导体芯片和第二半导体芯片,第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层,其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合,并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部,并且其中,第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明,能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
Public/Granted literature
- CN105633056A 电子装置和半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2016-06-01
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IPC分类: