-
公开(公告)号：CN110212406B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201910140085.6
申请日：2019-02-26
Abstract: 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪，能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置在所述基体上，所述层叠体具有：第1柱状部；以及第2柱状部，其具有比所述第1柱状部小的直径，所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间，所述第1柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够产生光，所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间，所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
-
公开(公告)号：CN114069386A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110856048.2
申请日：2021-07-28
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
-
公开(公告)号：CN110212406A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910140085.6
申请日：2019-02-26
Abstract: 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪，能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置在所述基体上，所述层叠体具有：第1柱状部；以及第2柱状部，其具有比所述第1柱状部小的直径，所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间，所述第1柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够产生光，所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间，所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
-
公开(公告)号：CN110970798A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910891379.2
申请日：2019-09-20
IPC: H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/28 , G03B21/20
Abstract: 本发明提供发光装置以及投影仪。提供能够具有较高的发光效率的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，所述发光层具有：小平面区域，其设于所述小平面；以及c面区域，其设于所述c面，所述发光层不具有设于所述m面的区域，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。
-
公开(公告)号：CN114361946B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970798B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910891379.2
申请日：2019-09-20
IPC: H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/28 , G03B21/20
Abstract: 本发明提供发光装置以及投影仪。提供能够具有较高的发光效率的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，所述发光层具有：小平面区域，其设于所述小平面；以及c面区域，其设于所述c面，所述发光层不具有设于所述m面的区域，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。
-
公开(公告)号：CN114069386B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110856048.2
申请日：2021-07-28
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
-
公开(公告)号：CN114361946A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有c面区域，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构，且具有构成所述c面区域的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
-
公开(公告)号：CN114649452B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202111541579.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10H20/814 , H10H20/819 , H10H20/831
Abstract: 本发明提供发光装置和投影仪。该发光装置能够减小发光强度在电极的外缘附近的降低量。发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有第1半导体层、导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。
-
公开(公告)号：CN114649740A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111532340.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/02345 , G03B21/20 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01S5/0239 , H01S5/026
Abstract: 发光装置和投影仪，能够实现小型化。该发光装置具有基板、晶体管、发光元件以及将所述晶体管与所述发光元件电连接的布线，所述晶体管具有设置于所述基板的第1杂质区域、设置于所述基板且导电型与所述第1杂质区域相同的第2杂质区域以及栅极，所述发光元件具有层叠体，该层叠体具有多个柱状部，多个所述柱状部各自具有第1半导体层、第2半导体层以及发光层，所述第1半导体层配置在所述基板与所述发光层之间，所述布线是设置于所述基板的第3杂质区域，所述层叠体配置在所述第3杂质区域，所述第3杂质区域的导电型与所述第1半导体层的导电型相同，所述第3杂质区域与所述第1半导体层电连接，所述第3杂质区域与所述第1杂质区域连续。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.03 seconds)
