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公开(公告)号：CN114649452B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202111541579.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10H20/814 , H10H20/819 , H10H20/831
Abstract: 本发明提供发光装置和投影仪。该发光装置能够减小发光强度在电极的外缘附近的降低量。发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有第1半导体层、导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。
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公开(公告)号：CN110212406B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201910140085.6
申请日：2019-02-26
Abstract: 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪，能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置在所述基体上，所述层叠体具有：第1柱状部；以及第2柱状部，其具有比所述第1柱状部小的直径，所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间，所述第1柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够产生光，所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间，所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
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公开(公告)号：CN114649740A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111532340.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/02345 , G03B21/20 , H01L27/15 , H01L33/62 , H01S5/0239 , H01S5/026
Abstract: 发光装置和投影仪，能够实现小型化。该发光装置具有基板、晶体管、发光元件以及将所述晶体管与所述发光元件电连接的布线，所述晶体管具有设置于所述基板的第1杂质区域、设置于所述基板且导电型与所述第1杂质区域相同的第2杂质区域以及栅极，所述发光元件具有层叠体，该层叠体具有多个柱状部，多个所述柱状部各自具有第1半导体层、第2半导体层以及发光层，所述第1半导体层配置在所述基板与所述发光层之间，所述布线是设置于所述基板的第3杂质区域，所述层叠体配置在所述第3杂质区域，所述第3杂质区域的导电型与所述第1半导体层的导电型相同，所述第3杂质区域与所述第1半导体层电连接，所述第3杂质区域与所述第1杂质区域连续。
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公开(公告)号：CN114069386A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110856048.2
申请日：2021-07-28
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
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公开(公告)号：CN102368046A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110177237.3
申请日：2011-06-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
IPC: G01J5/34
CPC classification number: G01J5/34
Abstract: 本发明提供了热电型检测器、热电型检测装置和电子设备。该热电型检测器具有：热电型检测元件，该热电型检测元件包括具备热电材料的电容器和保护电容器免受还原气体侵入的第一还原气体阻隔膜；搭载热电型检测元件的支撑部件；以及支撑该支撑部件的一部分从而将热电型检测元件热分离的支撑部。支撑部件包括搭载电容器的搭载部件和与搭载部件连结的臂部件，第一还原气体阻隔膜被形成为在搭载部件的第一外周缘与电容器的第二外周缘之间具有第三外周缘的孤立图案。
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公开(公告)号：CN110212406A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910140085.6
申请日：2019-02-26
Abstract: 提供发光装置及其制造方法、以及投影仪，能够减少在发光层中产生的光向基体侧的相反侧的泄漏量。该发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置在所述基体上，所述层叠体具有：第1柱状部；以及第2柱状部，其具有比所述第1柱状部小的直径，所述第1柱状部设置在所述基体与所述第2柱状部之间，所述第1柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够产生光，所述第1半导体层设置在所述基体与所述发光层之间，所述第2柱状部具有导电类型与所述第1半导体层不同的第3半导体层。
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公开(公告)号：CN102650552B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210043847.9
申请日：2012-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
Abstract: 提供了热式检测器、热式检测装置以及电子设备。该热式检测器具有：基体；支撑部件，其包括第一面和与第一面相对的第二面；间隔部件，其与基体连接设置，以在基体与支撑部件的第二面之间形成空腔部的方式支撑支撑部件；热式检测元件，其支撑在支撑部件的第一面上；检测电路，其配置在基体上，与热式检测元件连接；以及布线部，其连接热式检测元件和检测电路，其中，布线部具有：配置在基体内的至少一层第一导电层；配置在间隔部件内的至少一层第二导电层；支撑于支撑部件的第三导电层；以及多个插头，其将至少一层第一导电层、至少一层第二导电层以及第三导电层中基板厚度方向上的相邻层彼此连接。
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公开(公告)号：CN103090978A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210429722.X
申请日：2012-10-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
IPC: G01J5/34
CPC classification number: G01J5/34 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/046
Abstract: 本发明提供一种热电型光检测器、热电型光检测装置以及电子设备。该热电型光检测器具有：基体、支撑部件、含有热电体的多个热电电容器。支撑部件包括第一面和与第一面相对的第二面，在第二面与基体之间形成空洞部。多个热电电容器被支撑在支撑部件上。被支撑部件所支撑的多个热电电容器在极化方向一致的方向上电串联连接。与热电电容器相对应的光吸收区域的重心在平面观察时投影到二维面上的投影点的位置可以存在于将热电电容器的热电体的轮廓线投影到二维面上的区域的内部。
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公开(公告)号：CN102221411A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110074618.9
申请日：2011-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供了一种热式光检测器、热式光检测装置及电子设备。热式光检测器具有：热式检测元件；支撑部件，热式检测元件安装并支撑在支撑部件的与面向空腔部的第一面相对的第二面上；以及固定部，支撑该支撑部件。支撑部件具有：第一层部件，配置在第二面侧，并具有朝向第一方向的残留应力；以及第二层部件，在第一面侧层叠到第一层部件上，并具有朝向与第一方向相反的第二方向的残留应力。第一层部件的热导小于第二层部件的热导。
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