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公开(公告)号：CN114361946B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
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公开(公告)号：CN114361946A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有c面区域，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构，且具有构成所述c面区域的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
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公开(公告)号：CN114976867B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210166162.7
申请日：2022-02-23
Abstract: 本发明提供一种可减小多个第一阱层中的形状的偏差的发光装置。一种发光装置，具有层叠体，所述层叠体设置于基板，且具有多个柱状部，多个柱状部分别具有：发光层，具有多个第一阱层；第一半导体层，设置于基板与发光层之间，且含有Ga及N；光限制层，设置于第一半导体层与发光层之间，且将光限制在发光层；以及第二阱层，设置于第一半导体层与光限制层之间，第一阱层及第二阱层包含InGaN，光限制层具有InGaN层，第一阱层的组成式为InxGa1‑xN，光限制层的InGaN层的组成式为InyGa1‑yN，第二阱层的组成式为InzGa1‑zN，x、y、及z满足0＜y＜z＜x＜1。
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公开(公告)号：CN114976867A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210166162.7
申请日：2022-02-23
Abstract: 本发明提供一种可减小多个第一阱层中的形状的偏差的发光装置。一种发光装置，具有层叠体，所述层叠体设置于基板，且具有多个柱状部，多个柱状部分别具有：发光层，具有多个第一阱层；第一半导体层，设置于基板与发光层之间，且含有Ga及N；光限制层，设置于第一半导体层与发光层之间，且将光限制在发光层；以及第二阱层，设置于第一半导体层与光限制层之间，第一阱层及第二阱层包含InGaN，光限制层具有InGaN层，第一阱层的组成式为InxGa1‑xN，光限制层的InGaN层的组成式为InyGa1‑yN，第二阱层的组成式为InzGa1‑zN，x、y、及z满足0＜y＜z＜x＜1。
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