公开(公告)号：CN116699897A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310870956.6

申请日：2022-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 门谷典和 ,  福山孝典 ,  田中克典 ,  森胁稔 ,  内山杰

IPC: G02F1/1333 ,  G03B21/16 ,  H04N9/31

Abstract: 光调制装置和投影仪，能够提高冷却效率。光调制装置具有：面板主体，其具有配置有多个像素的像素配置区域；印刷基板，其从所述面板主体延伸；以及蒸汽腔室，其具有与所述面板主体连接并延伸到所述面板主体的外侧的延伸部，具有封入工作流体的中空空间，所述蒸汽腔室利用受到的热使液相的所述工作流体蒸发而变化成气相的所述工作流体，对所述工作流体的热进行散热使所述气相的所述工作流体冷凝而变化成所述液相的工作流体，所述印刷基板以与所述蒸汽腔室的所述延伸部重叠的方式延伸。

公开(公告)号：CN102213881B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110090666.7

申请日：2011-04-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  望月宏明

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286

Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。电光装置具备：像素电极；晶体管，其对应于像素电极而设置；数据线，其与晶体管电连接；存储电容，其设置于像素电极与晶体管之间，且通过将第1电极与第2电极隔着电容绝缘膜相对配置而形成；以及附加电容，其通过将第1附加电容电极与第2附加电容电极隔着附加电容绝缘膜相对配置而形成，且其与数据线电连接，所述第1附加电容电极与第1电极设置于同一层，所述第2附加电容电极与第1电极及第2电极设置于不同层。

公开(公告)号：CN1909214A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610110628.2

申请日：2006-08-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  安川昌宏

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F1/133605 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在TFT阵列基板10上，在基底绝缘膜520上形成蚀刻停止层550，在蚀刻停止层550的上方形成多条扫描线11a和使该多条扫描线11a互相短路的公共布线13，在基底绝缘膜520上形成多个TFT30，形成第1层间绝缘膜521，在第1层间绝缘膜521上形成多条数据线6a，然后通过在第1层间绝缘膜521上利用蚀刻形成切断用孔507而将公共布线13切断。

公开(公告)号：CN106068532A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580012760.7

申请日：2015-03-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 杉本阳平 ,  森胁稔

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/78678 ,  H04N9/3105 ,  H04N9/312

Abstract: 电光装置能够高质量图像。电光装置(200)包括：第一电容元件(491)、第二电容元件(492)和第三电容元件(493)。第一电容元件(491)包括第一导电膜(408)、第二导电膜(411)的第一部分和第一介电膜(410)。第二电容元件(492)包括第三导电膜(416)、第四导电膜(418)的第二部分和第二介电膜(417)。第三电容元件(493)包括第三导电膜(416)、第四导电膜(418)的第三部分和第二介电膜(417)。因为在窄区域中形成包括大电容值的电容元件，即使随着精细化提高而像素变小，可以实现显示不良被抑制的优良的电光装置。

公开(公告)号：CN101388400B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810215918.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  石井达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及一种电光装置及其制造方法以及电子设备。在液晶等的电光装置中，减少光泄漏电流的发生，能够显示高品质的图像。该电光装置具备：基板(10)；数据线(6a)及扫描线(11a)，在基板上相互交叉进行延伸；像素电极(9a)，设置于与数据线及扫描线的交叉处相对应而规定的每个像素中；半导体层(1a)，具有沟道区域(1a′)、数据线侧源漏区域(1d)、像素电极侧源漏区域(1e)、第1结区域(1b)及第2结区域(1c)；第1绝缘膜(31a)，覆盖第1结区域被设置为岛状；第2绝缘膜(31b)，覆盖第2结区域被设置为岛状；栅电极(3a)，隔着栅绝缘膜(2)与沟道区域相对，并且延伸到第1及第2绝缘膜上。

公开(公告)号：CN101211891B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200710301184.5

申请日：2007-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层(93)，从第2层间绝缘层(42)的上表面(42a)延伸于第2层间绝缘层(42)的端面(42b)及下部电容电极(71)的端面(71b)。中继层(93)，通过接触孔(85)而电连接于像素电极(9a)。即，下部电容电极(71)，与中继层(93)一起对高浓度漏区域(1e)及像素电极(9a)间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置(1)，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极(71)、与中继层(93)的连接区域变小，或完全消失。

公开(公告)号：CN1996604A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001553.9

申请日：2007-01-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136209

Abstract: 本发明的电光装置能使存储电容的电容大并提高遮光性能，进行高质量显示。液晶装置在TFT阵列基板(10)上具备：互相交叉地延伸的数据线(6a)及扫描线(3a)；按在TFT阵列基板(10)上平面地看对应于数据线(6a)及扫描线(11a)规定的每个像素配置的像素电极(9a)；和电连接于像素电极(9a)的TFT(30)。具备存储电容(70)，其配置于在TFT阵列基板(10)上平面地看包括对向于TFT(30)的沟道区域(1a’)的区域的区域并与TFT(30)相比配置于上层侧，从下层侧按顺序叠层由多晶硅膜构成的下侧电极(71)、电介质膜(75)及由金属膜构成的上侧电极(300a)并电连接于像素电极(9a)。

公开(公告)号：CN102193262B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110058400.4

申请日：2011-03-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  安川昌宏 ,  胁田贤

IPC: G02F1/1362 ,  G03B21/00 ,  H01L27/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及电光装置，其包括：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；第1电容电极，其被设置在像素电极和晶体管之间，并与像素电极和晶体管电气连接；第2电容电极，其在像素电极和第1电容电极之间隔着电容绝缘膜与第1电容电极相对地配置，并被提供规定的电位；遮光膜，其被设置成在像素电极和第2电容电极之间与晶体管至少部分地重叠，并经由在配置在该遮光膜与第2电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与第2电容电极电气连接。

公开(公告)号：CN100477170C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610110628.2

申请日：2006-08-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  安川昌宏

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F1/133605 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在TFT阵列基板10上，在基底绝缘膜520上形成蚀刻停止层550，在蚀刻停止层550的上方形成多条扫描线11a和使该多条扫描线11a互相短路的公共布线13，在基底绝缘膜520上形成多个TFT30，形成第1层间绝缘膜521，在第1层间绝缘膜521上形成多条数据线6a，然后通过在第1层间绝缘膜521上利用蚀刻形成切断用孔507而将公共布线13切断。

公开(公告)号：CN101211891A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301184.5

申请日：2007-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层(93)，从第2层间绝缘层(42)的上表面(42a)延伸于第2层间绝缘层(42)的端面(42b)及下部电容电极(71)的端面(71b)。中继层(93)，通过接触孔(85)而电连接于像素电极(9a)。即，下部电容电极(71)，与中继层(93)一起对高浓度漏区域(1e)及像素电极(9a)间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置(1)，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极(71)、与中继层(93)的连接区域变小，或完全消失。