检测装置、电子仪器以及机器人

    公开(公告)号:CN102539025A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110319336.0

    申请日:2011-10-18

    Abstract: 本发明提供一种检测装置、电子仪器以及机器人,所述检测装置具备:第一基板,其具有被配置在基准点的周围的多个压力传感器;近似半球状的弹性体突起,该弹性体突起的大致中心位于与所述基准点重合的位置,并且该弹性体突起会在外压的作用下发生弹性变形;以及第二基板,其隔着所述弹性体突起被设置于所述第一基板的相反侧。当施加所述外压时,使用由各压力传感器检测的压力值进行规定的计算,求得被施加的所述外压的方向与大小。

    薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模

    公开(公告)号:CN1438520A

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:CN03102551.X

    申请日:2003-02-11

    CPC classification number: H01L27/12 G02F1/136213

    Abstract: 本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分(1K)。

    电泳显示装置以及电子设备

    公开(公告)号:CN101520585A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910004278.5

    申请日:2009-02-24

    Inventor: 天野隆祐

    CPC classification number: G02F1/167 G02F2001/133337 G02F2201/50

    Abstract: 本发明涉及一种电泳显示装置以及电子设备,本发明的目的在于提供一种抑制像素间的泄露电流、提高产品的可靠性的电泳显示装置、和具备其的电子设备。该电泳显示装置,平面排列具有电泳元件的像素而成,该电泳元件具有由像素电极(21)、与像素电极(21)相对向的对向电极(22)和配设在像素电极(21)和对向电极(22)之间的包括电泳微粒的电泳层(23)。在相邻的像素电极(21)、(21)之间的区域设置有包括绝缘性吸湿材料的绝缘层(31)。

    薄膜半导体器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1218366C

    公开(公告)日:2005-09-07

    申请号:CN03102551.X

    申请日:2003-02-11

    CPC classification number: H01L27/12 G02F1/136213

    Abstract: 本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分(1K)。

    薄膜半导体器件、电光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100407428C

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200510083189.6

    申请日:2003-02-11

    Abstract: 本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180度的平滑相交部分(1K)。

    薄膜半导体器件及电光装置、其制造方法及中间掩模

    公开(公告)号:CN1722450A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510083189.6

    申请日:2003-02-11

    Abstract: 本发明提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。

    薄膜半导体器件、电光装置及中间掩模

    公开(公告)号:CN2627537Y

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN03204041.5

    申请日:2003-02-12

    CPC classification number: H01L27/12 G02F1/136213

    Abstract: 本实用新型提供在薄膜的图形化中,即便是具有该图形上相交部分,在该薄膜的下部也不会产生底蚀的薄膜半导体器件及其制造方法。解决方式是半导体膜(1)具有含有曲折形状或突出形状的图形。此外,对于规定上述曲折形状或上述突出形状的相交部分的同时彼此邻接的一个线段(1AR)和另一个线段(1BU)来说,在该一个线段和另一个线段的端部间存在着别的线段(1X),该别的线段与上述一个线段所构成的夹角以及该别的线段与上述另一个线段所构成的夹角,形成大于90度小于180的平滑相交部分(1K)。

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