公开(公告)号：CN101490813A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027317.2

申请日：2007-07-19

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 渡部功治 ,  正原和幸 ,  松田匠太 ,  福冈正辉 ,  竹部义之

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2891 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供下述切片及芯片键合带，在对半导体晶片进行切片、并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，能够容易并且确实地拾取半导体芯片。一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm2。

公开(公告)号：CN101490813B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780027317.2

申请日：2007-07-19

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 渡部功治 ,  正原和幸 ,  松田匠太 ,  福冈正辉 ,  竹部义之

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/83 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2891 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供下述切片及芯片键合带，在对半导体晶片进行切片、并连同芯片键合膜一起拾取半导体芯片时，能够容易并且确实地拾取半导体芯片。一种切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中，该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜，所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为1～6N/m的范围，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为0.3～2N/mm2。