一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法

    公开(公告)号:CN115180977A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210774326.4

    申请日:2022-07-01

    IPC分类号: C04B41/80 B23K26/382

    摘要: 本发明提供一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法,包括如下步骤:步骤一:通过激光切割在超薄磁性陶瓷基板上加工贯通孔;步骤二:将激光切割后的超薄磁性陶瓷基板送入退火炉内,并将退火炉内抽真空;步骤三:保持恒定的升温速率将退火炉内的温度升高至第一退火温度;步骤四:在第一退火时间内使退火炉内的温度保持第一退火温度;步骤五:保持恒定的降温速率将退火炉内的温度降低至第二退火温度:步骤六:在第二退火时间内使退火炉内的温度保持第二退火温度;步骤七:关闭所有热源,使超薄磁性陶瓷基板随退火炉自动冷却;步骤八:升压,将退火炉内的气压提升至与外界气压一致,将超薄铁氧体送出基板。

    一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法

    公开(公告)号:CN115180977B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202210774326.4

    申请日:2022-07-01

    IPC分类号: C04B41/80 B23K26/382

    摘要: 本发明提供一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法,包括如下步骤:步骤一:通过激光切割在超薄磁性陶瓷基板上加工贯通孔;步骤二:将激光切割后的超薄磁性陶瓷基板送入退火炉内,并将退火炉内抽真空;步骤三:保持恒定的升温速率将退火炉内的温度升高至第一退火温度;步骤四:在第一退火时间内使退火炉内的温度保持第一退火温度;步骤五:保持恒定的降温速率将退火炉内的温度降低至第二退火温度:步骤六:在第二退火时间内使退火炉内的温度保持第二退火温度;步骤七:关闭所有热源,使超薄磁性陶瓷基板随退火炉自动冷却;步骤八:升压,将退火炉内的气压提升至与外界气压一致,将超薄铁氧体送出基板。

    一种片式高功率金刚石芯片电阻器的制备工艺

    公开(公告)号:CN117457305A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311304545.7

    申请日:2023-10-10

    IPC分类号: H01C17/00 H01C17/12

    摘要: 一种片式高功率金刚石芯片电阻器的制备工艺,采用磁控溅射法分别在金刚石基板表面及背面上溅射氮化钽电阻层、钛金属层、铂金属层和金层形成电极层与背电极,然后对电极层依次完成曝光显影、刻蚀工序以在金刚石基板表面形成膜状电阻、第一电极及第二电极;膜状电阻,设置在金刚石基板的中部;第一电极,设置在膜状电阻的一侧,一端与膜状电阻连接,另一端向外蜿蜒延伸;第二电极,设置在膜状电阻另一侧,一端与膜状电阻连接,另一端沿其侧面向下延伸与背电极连接;本发明制备的金刚石芯片电阻器优化了金刚石芯片电阻器在整个频段下的电性能指标,提高了产品可应用的频段,同时500W的高功率可以满足多种场景下的使用,满足了需要的设计要求。

    一种两面短路基板的制作方法、测试平台和电路板

    公开(公告)号:CN113939084A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111012000.X

    申请日:2021-08-31

    摘要: 本发明提供一种两面短路基板的制作方法、测试平台和电路板,制作方法包括如下步骤:A、在基板本体上下两端分别设置两第一金属膜层,再在各微小孔内设置与两第一金属膜层连通的第二金属膜层;B、在两第一金属膜层上设计出需要刻蚀出的图形,并利用感光胶在两第一金属膜层上形成保护层;C、采用丝网印刷的方式,在各微小孔内填满玻璃浆料;D、将进步骤C处理后的基板本体浸入刻蚀液中进行刻蚀;E、将基板本体于无水乙醇中静置一段时间以去除玻璃浆料,并将基板本体烘干。本发明的制作方法是一种灵活的短路方案,易于操作且能够保证微小孔金属化的精度,使基板具有质量一致性,既能满足基板的设计要求,又能进行批量生产。

    一种金刚石芯片电阻器
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220913992U

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202322711029.8

    申请日:2023-10-10

    IPC分类号: H01C7/00

    摘要: 一种金刚石芯片电阻器,包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的膜状电阻、设置在金刚石基板表面与膜状电阻一端连接的第一电极、设置在金刚石基板表面与膜状电阻另一端连接的第二电极和设置在金刚石基板背面的背电极,所述第一电极一端与膜状电阻连接另一端向外蜿蜒延伸;具体限定了电极的结构,通过蜿蜒的结构及线宽调整达到一定的阻抗匹配作用,同时特定线条之间的相互耦合作用能够消除高频段下寄生电抗参数的影响,从而使产品在整个频段的电性能得到改善与保障。

    一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器

    公开(公告)号:CN220731766U

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202322455732.7

    申请日:2023-09-11

    IPC分类号: H01P1/30

    摘要: 一种可降低高频驻波比的温度补偿衰减器,包括陶瓷基板、第一电极、第二电极、接地电极、多个膜状电阻和包封层;所述第一电极、第二电极与接地电极间隔设置在陶瓷基板上,分别从陶瓷基板表面经侧面向下延伸至陶瓷底板背面;多个所述膜状电阻设置在陶瓷基板表面,分别连接在第一电极与第二电极、第一电极与接地电极、第二电极与接地电极之间;所述包封层设置在多个膜状电阻顶面以保护多个膜状电阻;本申请通过限定温度补偿衰减器电极的结构,使其从陶瓷基板顶面经侧面延伸至陶瓷基板背面,以使得制备的温度补偿衰减器可根据实际使用选择表面连接或背面连接,满足不同场合的使用。

    一种用于金刚石芯片电阻器测试的三维移动载台

    公开(公告)号:CN220490860U

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202321947288.4

    申请日:2023-07-24

    IPC分类号: G01R1/02 G01R1/04 G01R31/00

    摘要: 一种用于金刚石芯片电阻器测试的三维移动载台,包括测试座、探针、调节机构和升降机构,测试座成型有若干个用于放置待测试产品的安装槽;探针可移动设置在测试座上方以靠近产品进行测试;调节机构与测试座连接,可驱动测试座在水平方向移动以改变待测试产品的位置;升降机构与探针连接,通过升降机构控制探针升降并靠近产品进行搭测,与调节机构配合移动测试座,可快速测试多个产品,简化测试流程,提高测试效率,还可以适配不同型号的金刚石芯片电阻器,且避免了重复焊接拆装,能够有效提高测试精度,同时由于探针需要带电操作,所以通过将探针升降机构与测试座可分离设置,对测试座操作时可将探针远离测试座,提高了装置的安全性。

    一种宽频带金刚石芯片电阻器

    公开(公告)号:CN221946888U

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202323550294.9

    申请日:2023-12-25

    IPC分类号: H01C7/00 H01C1/084 H01C1/14

    摘要: 一种宽频带金刚石芯片电阻器,包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的电阻层,相对设置在电阻层两侧的第一表电极与第二表电极、设置在金刚石基板一侧面与第一表电极连接的端面电极和设置在金刚石基板底面的背电极,所述第一表电极包括从金刚石基板表面侧边向内延伸的主体段和分别从主体段两端向内延伸的两延伸段,两所述延伸段位于电阻层的两侧;本申请通过优化电阻器的结构,使电阻器能在较小体积上实现大的功率且电性能良好,满足市场上对于小型化、大功率的金刚石芯片电阻器的需要,完成的金刚石芯片电阻器可以在很宽的频段下拥有良好的电性能,提高了金刚石芯片电阻器的耐压与稳定性。

    一种用于金刚石芯片电阻器的功率测试载台

    公开(公告)号:CN220473564U

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202321947708.9

    申请日:2023-07-24

    IPC分类号: G01R1/02 G01R1/04 G01R31/00

    摘要: 一种用于金刚石芯片电阻器的功率测试载台,涉及金刚石芯片电阻器测试平台领域,包括安装平台、散热块、散热机构和引导机构,散热块可拆卸设置在安装平台顶面上;散热机构设置在安装平台底面对散热块进行散热;引导机构包括连接块、第一导电通道、第二导电通道和压块,第一导电通道与第二导电通道分别与电源和产品连接形成回路;压块可拆卸设置在连接块上将导线夹持固定在第一导电通道和第二导电通道上。通过将产品焊接在易于拆卸的散热块上,可快速完成产品的安装,还可重复利用,还能满足功率测试时的散热需求,同时通过引导机构可快速并牢固地完成与外部直流稳压电源的连接,以快速完成功率测试,改善了金刚石芯片电阻器的功率测试条件。