一种微带滤波电路自动建模仿真优化方法

    公开(公告)号:CN118070730B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410435642.8

    申请日:2024-04-11

    IPC分类号: G06F30/367

    摘要: 本发明提供一种微带滤波电路自动建模仿真优化方法,属于自动建模仿真领域,包括步骤S1、利用计算软件编写设计软件调用程序、建模程序、性能参数求解程序,并生成函数脚本;步骤S2、得到包括微带线结构的微带滤波电路模型,并依据该微带滤波电路模型进行仿真以求解性能参数,求解后的性能参数经函数脚本回传至计算软件,计算软件根据该性能参数与预设的目标性能参数的比较结果依次对微带线结构的长度、左右间距和上下间距进行调整,设计软件根据每一次调整后的数据再次建模并求解性能参数,直至求解后的性能参数与目标性能参数一致;步骤S3、保存微带滤波电路模型和性能参数求解报告。本发明能够显著提升建模效率,且大大减小人工成本。

    一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法

    公开(公告)号:CN117954814A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202410038847.2

    申请日:2024-01-10

    IPC分类号: H01P1/26 H01P11/00

    摘要: 一种大功率高频低损耗抗浪涌的射频负载片及制备方法,射频负载片包括基板、导体层、多个电阻体层和保护层,所述导体层包括接地部、电极部、分流部和侧面连通部,多个所述电阻体层分别连接所述分流部形成至少两条并联的电流通路,每条所述电流通路包括至少两个电阻体层,同一条所述电流通路上的电阻体层通过所述电极部串联,使所述基板上的电阻体层形成串并联结构,所述电阻体层为圆形结构,所述分流部和所述电阻体层之间为弧形连接,所述电阻体层与所述电极部之间为弧形衔接。本发明的电阻体层采用串并联的结构连接,增加电阻体层的面积占比,防止聚集过多的热量,具有频率更高,回波损耗更低的性能。

    一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法

    公开(公告)号:CN115180977B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202210774326.4

    申请日:2022-07-01

    IPC分类号: C04B41/80 B23K26/382

    摘要: 本发明提供一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法,包括如下步骤:步骤一:通过激光切割在超薄磁性陶瓷基板上加工贯通孔;步骤二:将激光切割后的超薄磁性陶瓷基板送入退火炉内,并将退火炉内抽真空;步骤三:保持恒定的升温速率将退火炉内的温度升高至第一退火温度;步骤四:在第一退火时间内使退火炉内的温度保持第一退火温度;步骤五:保持恒定的降温速率将退火炉内的温度降低至第二退火温度:步骤六:在第二退火时间内使退火炉内的温度保持第二退火温度;步骤七:关闭所有热源,使超薄磁性陶瓷基板随退火炉自动冷却;步骤八:升压,将退火炉内的气压提升至与外界气压一致,将超薄铁氧体送出基板。

    一种片式高功率金刚石芯片电阻器的制备工艺

    公开(公告)号:CN117457305A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311304545.7

    申请日:2023-10-10

    IPC分类号: H01C17/00 H01C17/12

    摘要: 一种片式高功率金刚石芯片电阻器的制备工艺,采用磁控溅射法分别在金刚石基板表面及背面上溅射氮化钽电阻层、钛金属层、铂金属层和金层形成电极层与背电极,然后对电极层依次完成曝光显影、刻蚀工序以在金刚石基板表面形成膜状电阻、第一电极及第二电极;膜状电阻,设置在金刚石基板的中部;第一电极,设置在膜状电阻的一侧,一端与膜状电阻连接,另一端向外蜿蜒延伸;第二电极,设置在膜状电阻另一侧,一端与膜状电阻连接,另一端沿其侧面向下延伸与背电极连接;本发明制备的金刚石芯片电阻器优化了金刚石芯片电阻器在整个频段下的电性能指标,提高了产品可应用的频段,同时500W的高功率可以满足多种场景下的使用,满足了需要的设计要求。

    一种基于混沌映射的图像分层置乱加密方法

    公开(公告)号:CN115170380A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210904543.0

    申请日:2022-07-29

    IPC分类号: G06T1/00 G06N7/08 G06F17/16

    摘要: 本发明公开了一种基于混沌映射的图像分层置乱加密方法,其将灰度图像转换为图像矩阵;迭代2D‑ICM混沌映射产生两个混沌序列,然后利用其中一个混沌序列对图像矩阵进行像素扩散;将上述扩散后的图像进行分层,分为高层图像和低层图像;将2D‑ICM生成的另外一个混沌序列进行降序排列后生成相应的位置序列对低层图像进行置乱;迭代1DCLC混沌映射产生混沌序列,然后将混沌序列进行降序排列后生成相应的位置序列对高层图像进行置乱;将置乱后的高层图像与低层图像再次组合生成置乱后的图像矩阵;利用上述所有的混沌序列对置乱后的图像再次进行扩散,得到密文图像。本发明使用混沌映射和分层后的图像进行加密,具有理想的加密效率,能够实现理想的加密效果。

    一种高功率片式厚膜固定电阻器电阻值控制方法及装置

    公开(公告)号:CN114694905A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210230701.9

    申请日:2022-03-10

    摘要: 本发明提供一种高功率片式厚膜固定电阻器电阻值控制方法及装置,方法包括如下步骤:S1、制作第一、第二网版;S2、利用第一网版烧制得到第一参考电阻体,并烧制得到第二参考电阻体;S3、将第一网版的胶厚调整至,利用调整后的第一网版烧制得到第一电阻体;S4、根据第一参考电阻体的电阻均值和第二参考电阻体的电阻均值的阻值变化率、以及第一电阻体的电阻均值与目标电阻值的差距,调整印刷参数,再印刷烧制第二电阻体;E、若第二电阻体的电阻均值已达到目标电阻值范围内,则进行后续生产,否则,将第二电阻体作为新的第二参考电阻体,再次进入步骤S3。本发明能够在不损伤内部结构的情况下达到目标电阻值,合格率高,生产效率高,节省成本。

    一种湿法刻蚀方法及分布参数电路版图

    公开(公告)号:CN113948388A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111010741.4

    申请日:2021-08-31

    IPC分类号: H01L21/3213

    摘要: 本发明提供一种湿法刻蚀方法及分布参数电路版图,包括如下步骤:A、依次对基板进行涂胶、烘胶、曝光、显影和坚膜处理,使需要保留的金属膜层表面形成保护层;B、加热第一腐蚀液,使其温度为35‑50℃,并将基板浸入第一腐蚀液中,待不需要保留的金属膜层被完全腐蚀后,将基板取出;C、将基板浸入第二腐蚀液,当黏附层表面聚集气泡时,取出基板并用纯氮气将基板表面的气泡吹掉,再将基板继续浸入第二腐蚀液;D、将基板浸泡于第三溶液中以溶解保护层,再用清水洗掉基板表面残留的第三溶液,并将基板烘干。本发明的湿法刻蚀方法能够使金属膜层的刻蚀更为/彻底,避免出现残留,从而提高分布参数电路版图刻蚀的合格率。

    一种两面短路基板的制作方法、测试平台和电路板

    公开(公告)号:CN113939084A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111012000.X

    申请日:2021-08-31

    摘要: 本发明提供一种两面短路基板的制作方法、测试平台和电路板,制作方法包括如下步骤:A、在基板本体上下两端分别设置两第一金属膜层,再在各微小孔内设置与两第一金属膜层连通的第二金属膜层;B、在两第一金属膜层上设计出需要刻蚀出的图形,并利用感光胶在两第一金属膜层上形成保护层;C、采用丝网印刷的方式,在各微小孔内填满玻璃浆料;D、将进步骤C处理后的基板本体浸入刻蚀液中进行刻蚀;E、将基板本体于无水乙醇中静置一段时间以去除玻璃浆料,并将基板本体烘干。本发明的制作方法是一种灵活的短路方案,易于操作且能够保证微小孔金属化的精度,使基板具有质量一致性,既能满足基板的设计要求,又能进行批量生产。

    一种基于混沌映射的图像自适应置乱加密方法

    公开(公告)号:CN116170545A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310142129.5

    申请日:2023-02-21

    IPC分类号: H04N1/44 H04L9/00 H04L9/06

    摘要: 本发明提出一种基于混沌映射的图像自适应置乱加密方法,本方法采用置乱‑扩散加密结构;首先,将大小为M×N的原始图像的每个像素进行十六进制分解,得到高层图像和低层图像;其次,通过引入混沌映射生成的混沌序列,对两个图像进行交互扩散加密;然后,结合混沌序列对交互扩散加密后获得的两个加密图像进行相互的自适应选择置乱;最后,将两个置乱后图像重新结合成一个图像,使用混沌序列对此图像进行双向模运算扩散加密,得到最终的加密图像。本发明所提供的方法与原始图像紧密联系,具有较高的加密效率和理想的加密效果,可以很好的抵御选择明文攻击等经典的密码分析方法。