公开(公告)号：CN104900708A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510281308.2

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  汪江胜 ,  康冬茹 ,  林连秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/12 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于：对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈梯度状或掺杂浓度呈梯状。所述掺杂层梯度从源极至漏极呈低至高。所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。在有源层中掺杂具有一定梯度的材料，当源漏极加压的时候，由于靠近漏极的载流子较多，所以就会达到饱和区的漏极电流增大的效果。从而获得更高的开关电流比，元件的切换速度也会变得更快。

公开(公告)号：CN104992982A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510281290.6

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  胡海龙 ,  康冬茹 ,  林连秀 ,  汪江胜

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明提供一种具有超晶格结构的薄膜晶体管及其制备工艺，其结构包括衬底、栅绝缘层、有源层、漏区、源极、漏极及栅极，其特征在于：所述有源层采用超晶格结构。超晶格结构层的生成方式为分子束外延方式或金属有机化合物气相沉积方式，根据X射线实验计算得出所述超晶格结构生长速率和阱层厚度，阱层厚度≤100nm。其降低了各层的晶体缺陷密度和压电极化效应，提高了各层膜之间的致密性，使电子在平面内能自由运动而具有更高的迁移率；超晶格材料具有选择广泛，制备方法能够精确地控制薄层的厚度，生长薄层单晶材料的温度低等优点。

公开(公告)号：CN106409636A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610830811.3

申请日：2016-10-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  孙磊 ,  张永爱 ,  康冬茹 ,  吕珊红

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明公开了一种基于喷墨打印图形化的ZnO阴极及其制备方法，所述的ZnO阴极自下而上包括阴极基板、图形化ZnO种子层和图形化ZnO阴极。通过喷墨打印ZnO种子层引入，利用电化学沉积法或水热法生长图形化ZnO阴极。与现有技术相比，该喷墨打印法制备图形化ZnO种子层，大大降低了工艺的复杂性和难度，不仅易于生产而且用料少，制造成本低，通过计算机编程灵活设计所需的图形，非常适合大面积制作和未来工业化生产，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN106409636B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201610830811.3

申请日：2016-10-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  孙磊 ,  张永爱 ,  康冬茹 ,  吕珊红

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种基于喷墨打印图形化的ZnO阴极及其制备方法，所述的ZnO阴极自下而上包括阴极基板、图形化ZnO种子层和图形化ZnO阴极。通过喷墨打印ZnO种子层引入，利用电化学沉积法或水热法生长图形化ZnO阴极。与现有技术相比，该喷墨打印法制备图形化ZnO种子层，大大降低了工艺的复杂性和难度，不仅易于生产而且用料少，制造成本低，通过计算机编程灵活设计所需的图形，非常适合大面积制作和未来工业化生产，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN104900708B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510281308.2

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  汪江胜 ,  康冬茹 ,  林连秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于：对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈梯度状或掺杂浓度呈梯状。所述掺杂层梯度从源极至漏极呈低至高。所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。在有源层中掺杂具有一定梯度的材料，当源漏极加压的时候，由于靠近漏极的载流子较多，所以就会达到饱和区的漏极电流增大的效果。从而获得更高的开关电流比，元件的切换速度也会变得更快。

公开(公告)号：CN104851971A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510281704.5

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 叶芸 ,  郭太良 ,  陈恩果 ,  康冬茹 ,  林连秀 ,  汪江胜

IPC: H01L41/16 ,  H01L41/22

Abstract: 本发明涉及一种基于压电材料有源层的TFT结构及其制备方法，该TFT包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层是由添加有压电材料的氧化物或有机物制作而成。TFT器件采用添加有压电材料的氧化物或有机物作为有源层，由于压电材料的特性，施加栅极和漏极电压时，有源层中沟道会受到机械力而形变，增加了沟道层的载流子浓度，还提高载流子移动速度，综合起来都降低器件的阈值电压。基于压电材料的TFT结构更为精密且控制简单，可以降低阈值电压，提高迁移率，改善TFT性能。