一种暂存装置及输送系统

    公开(公告)号:CN109637963A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811525866.9

    申请日:2018-12-13

    发明人: 朱兰兰 费正洪

    IPC分类号: H01L21/677 H01L21/67

    摘要: 本发明涉及电池片生产技术领域,公开一种暂存装置及输送系统。该暂存装置包括旋转座及多个载片盒,多个载片盒均与旋转座连接,且沿旋转座的周向分布;载片盒包括底板及与底板连接的多个侧板,载片盒的顶部形成放片口,多个侧板中至少一个为移动侧板,移动侧板被配置为能够相对底板移动以形成取片口。本发明通过设置旋转座及多个载片盒,为工件提供了暂时存放的空间,当其中一个载片盒装满后,旋转座旋转,可以将工件放入其他未盛放工件的载片盒内,减小因工作人员未及时查看而导致工件掉落摔坏的几率;旋转座旋转以使满载的载片盒离开机械手执行放入电池片动作的区域后,工作人员从满载的载片盒中取出电池片,安全风险低。

    单晶硅片的制绒方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109461791A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811244464.1

    申请日:2018-10-24

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0236

    摘要: 本发明提供了一种单晶硅片的制绒方法,主要包括:将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内,再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液,进行刻蚀反应;再将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出,依次进行高温清洗与低温清洗;低温清洗后的单晶硅片再进行分片;并经后续清洗与干燥,得到一面具有金字塔状绒面结构的单晶硅片。该制绒方法中高温清洗过程中,高温清洗液可促使贴合在一起的单晶硅片分离,有效清洗单晶硅片间的残留药液及反应产物;低温清洗时,两两一组的单晶硅片相互贴合,以使得两两一组的两片单晶硅片之间留存一定水分,即使得两两一组的单晶硅片实现“外干内湿”的效果,利于分片。

    电池片铝背场空洞率测试方法

    公开(公告)号:CN109727885B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201811526315.4

    申请日:2018-12-13

    摘要: 本发明公开了一种电池片铝背场空洞率测试方法,包括以下步骤:S1、将样品背面朝上放置于隔板上;S2、在样品表面的待测区域滴湿润剂,然后静置;S3、用刮刀刮掉待测区域的铝浆料,刮动时刀片与样品表面呈锐角;S4、用清洗剂冲洗样品表面,待样品表面干燥;S5、将处理好的样品固定于3D显微镜测试台面上;S6、选择低倍镜,调整测试平台位移使镜头正对待测区域中心位置,聚焦调整至视窗中图像最清晰,微调位移使测试视窗中出现最多的激光开口条数N,量取并记录每一条激光开口线空洞区域的长度Ln,根据公式计算出该次测量的空洞率;S7、移动测试平台,继续对该待测区域进行上述步骤S6,重复多次,求取平均值即为该待测区域的空洞率。

    一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109457235A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811361781.1

    申请日:2018-11-15

    摘要: 本发明提供一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用,所述氧化铝薄膜包括底层氧化铝薄膜和外层氧化铝薄膜,所述制备方法具体包括以下步骤:设定原子层沉积系统的反应腔体温度,水相对于三甲基铝过量,利用原子层沉积法,得到底层氧化铝薄膜;重新设定原子层沉积系统的反应腔体温度,三甲基铝相对于水过量,利用原子层沉积法,在底层氧化铝薄膜上得到外层氧化铝薄膜,从而得到所述氧化铝薄膜。本发明的制备方法制备得到的氧化铝薄膜具有双层结构,底层膜含有大量-OH基团,在高温处理过程中,释放出H钝化硅片表面的悬挂键。外层氧化铝薄膜含有较少-OH基团,不会在高温处理过程中释放太多的H2,不会造成钝化膜层的损坏。