公开(公告)号：CN102208521A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110090653.X

申请日：2005-05-25

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·O·穆勒 ,  R·B·穆勒-马克 ,  M·R·克拉默斯 ,  P·J·施米特 ,  H·贝克特尔 ,  J·迈耶 ,  J·德格拉夫 ,  T·A·科普

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  C04B35/44 ,  C09K11/80

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括沉积在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件与沉积在发光层发出的光的路径上的陶瓷层结合。该陶瓷层包括一种波长转换材料例如磷光体。根据发明实施方式的发光陶瓷层比现有技术的磷光体层对温度具有更强的鲁棒性或更弱的敏感性。另外，发光陶瓷比现有技术的磷光体层显示出更少的散射并从而提高了转换效率。

公开(公告)号：CN1977393A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580017783.3

申请日：2005-05-25

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·O·穆勒 ,  R·B·穆勒-马克 ,  M·R·克拉默斯 ,  P·J·施米特 ,  H·贝克特尔 ,  J·迈耶 ,  J·德格拉夫 ,  T·A·科普

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/662 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 包括沉积在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件与沉积在发光层发出的光的路径上的陶瓷层结合。该陶瓷层包括一种波长转换材料例如磷光体。根据发明实施方式的发光陶瓷层比现有技术的磷光体层对温度具有更强的鲁棒性或更弱的敏感性。另外，发光陶瓷比现有技术的磷光体层显示出更少的散射并从而提高了转换效率。